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最新模电复习要点详解 第一章  半导体二极管 一 . 半导体的基础知识 1. 半导体 --- 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质  ( 如硅  Si 、锗  Ge)。 特性 --- 光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体 ---- 纯净的具有单晶体结构的半导体。 两种载流子 ---- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 杂质半导体 ---- 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体 : *N 型半导体 :  在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子） 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）  。 。 杂质半导体的特性 载流子的浓度 --- 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 体电阻 --- 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 转型 --- 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 PN 结 * PN 结的接触电位差 --- 硅材料约为 0.6~0.8V ，锗材料约为 0.2~0.3V 。 PN 结的单向导电性 --- 正偏导通，反偏截止。 PN 结的伏安特性 . 半导体二极管 单向导电性 ------ 正向导通，反向截止。 二极管伏安特性 ---- 同ＰＮ结。 正向导通压降 ------ 硅管 0.6~0.7V ，锗管 0.2~0.3V 。 死区电压 ------ 硅管 0.5V ，锗管 0.1V 。 3. 分析方法 ------ 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 : 若 V 阳 V 阴( 正偏 ) ，二极管导通 (短路 ); 若V 阳V 阴( 反偏 ) ，二极管截止 (开路)。 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点 Q。 等效电路法 直流等效电路法 * 总的解题手段 ---- 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 : 若 V 阳 V 阴( 正偏 ) ，二极管导通 ( 短路);若 V 阳 V 阴( 反偏 ) ，二极管截止 (开路)。 三种模型 微变等效电路法 . 稳压二极管及其稳压电路 稳压二极管的特性 --- 正常工作时处在 PN 结的反向击穿区， 所以稳压二极管在电路中要反向连接。 第一章重点掌握内容： 一、概念 1、 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。 2、 半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。 3、 本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。 4、 本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带 正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。 5、 P 型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成  P 型半导体，使导电能力大大 加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。 6、 N 型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成  N 型半导体，使导电能力大大 加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。 7、 PN 结具有单向导电性： P 接正、 N 接负时（称正偏） ， PN 结正向导通， P 接负、 N 接正 时（称反偏）， PN 结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。 8、 二极管按材料分有硅管 (Si 管 )和锗管 (Ge 管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。 9、 二极管由一个 PN 结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大 电流，反偏 时截止，呈大电阻，零电流。其死区电压： 其死区电压： Si 管约 0.5V， Ge 管约为 0.1 其导通压降： Si 管约 0.7V， Ge 管约为 0.2  Si 管约 0。 5V， Ge 管约为 0。1 V V 。 V 。这两组数也是判材料的依据。  ， 10、稳压管是工作在反向击穿状态的： ①加正向电压时，相当正向导通的二极管。  （压降为  0.7V，） ②加反向电压时截止，相当断开。 ③加反向电压并击穿（即满足 U﹥ UZ）时便稳压为 UZ 。 11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。 二、应用举例： （判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压 U0 。三极管复习完第二章再判） 参考答案： a、因阳极电位比阴极高， 即二极管正偏导通。 是硅管。b 、二极管反偏截止。 f 、因 V的阳极电位比阴极电位高， 所以二极管正偏导通，（将二极管短路） 使输出电压为 U0=3V 。G、因 V1 正向电压为 10V，V2 正向电压 13V，使 V2 先导通，（将 V2 短路）使输出电压U0=3V，而使 V1 反偏截