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西安交通大学材料科学与工程学院材料科学基础复习题 目 录 目 录 1 工程材料中原子排列 2 参考答案 . 4 固体中的相结构 9 参考答案 . 12 凝固 16 参考答案 . 19 相图 25 参考答案 . 38 固体中的扩散 40 参考答案 . 43 塑性变形 45 参考答案 . 48 回复与再结晶 51 参考答案 . 54 固体相变 58 参考答案 . 60 复合效应与界面 64 参考答案 . 66 第1页共68页 西安交通大学材料科学与工程学院材料科学基础复习题 工程材料中原子排列 作图表示立方晶体的 123 , 012 , 421 晶面及 102 , 211, 346 晶向。 2. 在六方晶体中，绘出以下常见晶向 0001, 2110 , 1010 , 1120 , 1210 等。 写出立方晶体中晶面族 {100} ，{110} ，{111} ， {112} 等所包括的等价晶面。 镁的原子堆积密度和所有 hcp 金属一样，为 0.74 。试求镁单位晶胞的体积。已知 Mg的 密度 mg 1.74Mg/m 3 ，相对原子质量为 24.31 ，原子半径 r=0.161nm。 当 CN=6时 Na 离子半径为 0.097nm，试问： 当 CN=4时，其半径为多少？ 当 CN=8时，其半径为多少？ 试问：在铜（ fcc,a=0.361nm ）的 100方向及铁 (bcc,a=0.286nm) 的100方向 , 原子的线密度为多少？ 7. 镍为面心立方结构，其原子半径为 rNi 0.1246nm 。试确定在镍的（ 100），（ 110）及 （111）平面上 1 mm 2 中各有多少个原子。 石英 SiO 2 的密度为 2.65 Mg/m 3。试问： 1 m 3 中有多少个硅原子（与氧原子）？ 当硅与氧的半径分别为 0.038nm 与 0.114nm 时，其堆积密度为多少（假设原子是球形的）？ 9. 在 800℃时 1010 个原子中有一个原子具有足够能量可在固体内移动，而在 900℃时 109 个 原子中则只有一个原子，试求其激活能（ J/ 原子）。 若将一块铁加热至 850℃，然后快速冷却到 20℃。试计算处理前后空位数应增加多少倍（设铁中形成一摩尔空位所需要的能量为 104600J）。 设图 1-18 所示的立方晶体的滑移面 ABCD平行于晶体的上、下底面。若该滑移面上有一 正方形位错环，如果位错环的各段分别与滑移面各边平行，其柏氏矢量b∥AB。 第2页共68页 西安交通大学材料科学与工程学院材料科学基础复习题 b 试问这 1) 有人认为“此位错环运动移出晶体后，滑移面上产生的滑移台阶应为 4 个 , 种看法是否正确？为什么？ 指出位错环上各段位错线的类型，并画出位错运动出晶体后，滑移方向及滑移量。 设图 1-19 所示立方晶体中的滑移面 ABCD平行于晶体的上、下底面。晶体中有一条位错 线 fed, de 段在滑移面上并平行 AB，ef 段与滑移面垂直。 位错的柏氏矢量 b 与 de平行而与 ef 垂直。试问： 欲使 de段位错在 ABCD滑移面上运动而 ef 不动，应对晶体施加怎样的应力？ 在上述应力作用下 de位错线如何运动？晶体外形如何变化？ a 110 13. 设面心立方晶体中的 (111) 为滑移面，位错滑移后的滑移矢量为 2 。 在晶胞中画出柏氏矢量 b 的方向并计算出其大小。 在晶胞中画出引起该滑移的刃型位错和螺型位错的位错线方向，并写出此二位错线的晶向指数。 判断下列位错反应能否进行。 a [101] a [121] a [111]; 1) 2 6 3 2) a[100] a [101] a [101]; 2 2 3) a [112] a [111] a [111]; 3 2 6 a[100] a [111] a [111]. 4) 2 2 a [101] 的单位位错及 b a [121] 的不全位错，此二位错相遇产生位 15. 若面心立方晶体中有 2 = 6 = 错反应。 问此反应能否进行？为什么？ 第3页共68页 西安交通大学材料科学与工程学院材料科学基础复习题 写出合成位错的柏氏矢量，并说明合成位错的类型。 16. 若已知某晶体中位错密度 106 ~ 107 cm/cm3 。 由实验测得 F-R 位错源的平均长度为 10 4 cm ，求位错网络中 F-R 位错源的数目。 2) 计算具有这种 F-R 位错源的镍晶体发生滑移时所需要的切应力。已知 Ni 的 G 7.9 10 10 Pa， a 0.350nm 。 17. 已知柏氏矢量 b=0.25nm，如果对称倾侧晶界的取向差 =1°及 10°，求晶界上位错之间 的距离。从计