CMP在非金属平坦化中的应用.pdfVIP

IC , , IC , , 由于 产业的快速发展 加上线宽的进一步缩小 使得晶片表面的 由于 产业的快速发展 加上线宽的进一步缩小 使得晶片表面的 , 高低起伏严重影响了制程技术的可靠性。由于晶片表面层的高低起伏, 高低起伏严重影响了制程技术的可靠性。由于晶片表面层的高低起伏 , , , , 所以我们每沉积一层薄膜 会使得表面的起伏变得更大 这种情况如 所以我们每沉积一层薄膜 会使得表面的起伏变得更大 这种情况如 , , , , 果一直继续下去 到表面金属层时 在制程上会发生两个大问题：一 果一直继续下去 到表面金属层时 在制程上会发生两个大问题：一 , , , , 方面，在镀上金属膜时 凹陷下去的部分和其它地方的厚度不均匀 方面，在镀上金属膜时 凹陷下去的部分和其它地方的厚度不均匀 R=PL/S, , R=PL/S, , 在此处，由于横截面积的减小，根据 会引起电阻值增高 另外， 在此处，由于横截面积的减小，根据 会引起电阻值增高 另外， , , 因为电子迁移而容易造成线路断路 会造成元件具的可靠性很差。另 因为电子迁移而容易造成线路断路 会造成元件具的可靠性很差。另 , , , , , , 一方面 如果在这种凸凹不平的表面上涂覆光阻在光阻显影时 会 一方面 如果在这种凸凹不平的表面上涂覆光阻在光阻显影时 会 , , , , 因为光阻深度不一 造成用来显影的光线在聚焦时无法得到良好的 因为光阻深度不一 造成用来显影的光线在聚焦时无法得到良好的 , , , , 解析度。通常线宽越窄 对解析度的要求越高 需要提供愈短的距 解析度。通常线宽越窄 对解析度的要求越高 需要提供愈短的距 , , 离来聚焦 这个距离称为聚焦深度。 离来聚焦 这个距离称为聚焦深度。 CMP 在CMP （