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光电检测工作原理题集 发光二极管的工作原理 在 PN 结附近，N 型材料中的多数载流子是电子，P 型材料中的多数载流子是空穴， PN 结上未加电压时构成一定的势垒，当加上正向偏压时，在外电场作用下，P 区的空 穴和 N 区的电子就向对方扩散运动，构成少数载流子的注入，从而在 PN 结附近产生导 带电子和价带空穴的复合。一个电子和一个空穴对每一次复合，将释放出与材料性质有 关的一定复合能量，这个能量会以热能、光能、或部分热能和部分光能的形式辐射出来 PIN 型的光电二极管的结构、工作原理及特点 它的结构分三层，即P 型半导体和 N 型半导体之间夹着较厚的本征半导体 I 层，它 是用高阻 N 型硅片做 I 层，然后把它的两面抛光，再在两面分别作 N+和 P+杂质扩散， 在两面制成欧姆接触而得到 PIN 光电二极管。原理：层很厚，对光的吸收系数很小，入 射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量的电子-空穴对，因而大幅度提供了光 电转换效率，从而使灵敏度得以很高。两侧 P 层和 N 层很薄，吸收入射光的比例很小， I 层几乎占据整个耗尽层，因而光生电流中漂移分量占支配地位，从而大大提高了响应 速度。特点： PIN 管的最大特点是频带宽，可达 10GHz。缺点:由于I 层的存在，管子 的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安 简述光电检倍增管的结构组成和工作原理 光电倍增管主要由入射窗口、光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统、和阳极 5 部分组成。 1 光照射到阴极转换成电子，出射到下一电极 2 电子撞到下一电极，倍增，更多的电子出射，直奔下一电极 3 经过若干次倍增，到达阳极，形成信号电 简述 CCD 器件的结构和工作原理 MOS 电容器件+输入输出端=CCD CCD 的工作原理：由目标发射来的光学图像，经透镜聚焦后成像在 CCD 的像敏单 元上； 在耗尽层中或距耗尽层为一定范围内的光生电子迅速被势阱收集，汇集到界面附近 形成电荷包，存储在像敏单元中。 电荷包的大小与光强和积分时间成正比。 电荷包在时钟脉冲作用下，由转移寄存器读出。 即在ＣＣＤ栅极上施加按一定规律变化、大小超过阈值的电压，则在半导体表面形 成不同深浅的势阱。势阱用于存储信号电荷，其深度同步于信号电压变化，使阱内信号 电荷沿半导体表面传输，最后从输出二极管送出视频信号 简述热电偶的工作原理 第 1 页 光电检测工作原理题集 工作原理：基于赛贝克(seeback)效应,即两种不同成分的导体两端连接成回路，如两 连接端温度不同，则在回路内产生热电流的物理现象。 举例说明脉冲方法测量长度的原理 被测物体 L 在传送带上以速度 v 前进，光电传感器将物体的长度 L 转换成脉冲来开 启门电路，计数器将计下与脉宽对应的高频脉冲数 N ，则 L=vt=vkN=KN 举例说明补偿测量方法的原理 是通过调整一个或几个与被测物理量有已知平衡关系（或已知其值）的同类标准物 理量，去抵消（或补偿）被测物理量的作用，使系统处于补偿或平衡状态。处于补偿状 态的测量系统，被测量与标准量具有确定的关系，由此可测得被测量值，这种方法称为 补偿法 雪崩光电二极管的工作原理 当光敏二极管的 PN 结上加相当大的反向偏压（100~200V)时，在结区产生一个很 强的电场，使进入场区的光生载流子获得足够的能量，在与原子碰撞时可使原子电离， 而产生新的电子—空穴对。只要电场足够强，此过程就将继续下去，使 PN 结内电流急 剧增加，达到载流子的雪崩倍增，这种现象称为雪崩倍增效应 简述三种主要光电效应的基本工作原理 当半导体材料受光照时，由于对光子的吸收引起载流子浓度增大，因而导致 材料电导率增大，这种现象称为光电导效应，是一种内光电效应。材料对光的吸收有本 征型和非本征型，所以光电导效应也有本征型和非本征型两种 当光照射PN 结时，只要入射光子能量大于材料禁带宽度，就会在结区产生电子－ 空穴对。光生电子——空穴对就被内建电场分离开来，空穴留在 P 区，电子通过扩散 向N 区,这种光照零偏 PN 结产生开路电压的效应，称为光伏效应 .当光照射到某种物质时，若入射的光子能量h 足够大，那