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霍尔效应及其应用实验报告 【摘要】 本实验通过了解霍尔原理及霍尔元器件的使用， 测绘 VH IS和VH IM的图像 并 测量霍尔系数、电导率。试验在测量过程中，由于各种副效应会引起各种误差。 在此做以分析和修正，采用 VH 对称测量法以消除副效应。经过修正后的实验，更 大程度地降低了实验误差，使 K 的测量更加接近真实值。 【关键词】 霍尔片 载流子密度 霍尔系数 霍尔电压 mathematica 【引言】 霍尔效应是霍尔于 1879 年发现的， 这一效应在科学实验和工程技术中有着广泛的应用。 霍尔系数的准确测量在应用中有着十分重要的意义。由于霍尔系数在测量过程中伴随着各种 副效应， 使得霍尔系数在测量过程中变得比较困难。 因此我们在测量过程中采取了“对称测量 法”消除副效应。 【正文】 一、实验原理 霍尔效应 ： 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引 起的偏转。当带电粒子被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场 的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。图（ 1、 a）所示的 N 型半导体试样，若在 X 方向的电极 D、E 上通以电流 Is，在 Z 方向 加磁场 B，试样中载流子将受洛仑兹力： F g e v B ① 其中 e为载流子电量， 为载流V子在电流方向上的平均定向漂移速率， B 为磁感 应强度。无论载流子是正电荷还是负电荷， Fg的方向均沿 Y 方向，在此力的作用 下，载流子发生便移，则在 Y 方向即试样 A 、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而 在试样 A 、A ′两侧产生一个电位差 VH，形成相应的附加电场 E—霍尔电场，相应 的电压 VH 称为霍尔电压，电极 A 、 A ′称为霍尔电极。 eVB eVB TOC \o 1-5 \h \z （a） （b） 图（1） 原理图 显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移， 试样中载流子将受一个与 Fg 方向相 反的横向电场力： FE=eE H ② 其中 EH 为霍尔电场强度。 FE 随电荷积累增多而增大，当达到稳恒状态时，两个 力平衡，即载流子所受的横向电场力 e EH 与洛仑兹力 evB 相等，样品两侧电荷 的积累就达到平衡，故有 eEH eVB ③ 设试样的宽度为 b，厚度为 d，载流子浓度为 n，则电流强度 Is 与的关系为 Is nevbd 由（ 3）、（ 4 由（ 3）、（ 4 ）两式可得 VH E H b 1ned ISBd I SB 即霍尔电压 VH（A、A′电极之间的电压）与 IsB 乘积成正比与试样厚度 d 成反比。 比例系数 K VH d 称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。 根据霍尔效应制作I的s B元件称为霍尔元件。由式⑤可见，只要测出 VH（伏）以及知 道 Is（安）、B （高斯）和 d（厘米）可按下式计算 RH（厘米 3／库仑）。 RHV RH VHd ISB 霍尔元件就是利用上述霍尔效应制成的电磁转换元件，对于成品的霍尔元件，其 RH和d 已知，因此在实际应用中式⑤常以如下形式出现： VH=KHIsB ⑦ 其中比例系数 KH= RH 1 称为霍尔元件灵敏度， 它表示该器件在单位工作电 d ned 流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压。 Is 称为控制电流。 2 与霍尔系数有关的物理量测量 ： 2.1 ．由 RH 的符号（或霍尔电压的正、负）判断试样的导电类型。判断的方法是 按图（ 1）所示的 Is 和 B 的方向，若测得的 VH＝VAA＇＜0，（即点 A 的电位低于 点 A ′的电位）则 RH 为负，样品属 N 型，反之则为 P 型。 2．2 由 RH求载流子浓度 n 由比例系数 RH 1 得n 1 ， 。 ne k e 2.3 结合电导率的测量，求载流子的迁移率μ。电导率σ与载流子浓度 n 以及迁移 率μ之间有如下关系： σ＝n e μ 由比例系数 RH 1 得，μ＝|RH|σ，通过实验测出σ值即可求出μ。 ne 根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大的材料。因 |RH| 所以实用上mV/ （mA T）＝μρ，就金属导体而言，μ和ρ均很低，而不良导体ρ虽高，但μ极小，因而上述两 种材料的霍尔系数都很小，不能用来制造霍尔器件。半导体μ高，ρ适中，是制造 霍尔器件较理想的材料，由于电子的迁移率比空穴的迁移率大，所以霍尔器件都 采用 N 型材料，其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反比，因此薄膜型的霍尔器 件的输出电压较片状要高得多。就霍尔元件而言，其厚度是一定的， 采用来表示霍尔元件的灵敏度， KH 称为霍尔元件灵敏度，单位为 或 所以实用上 mV/ （mA T） 1 KH ned 3 霍尔电压 VH 的测量 ： A、A 两电极: 具体的做法是 Is 和