ARM9(S3c2440)之十nandflash的读写操作程序实例.docxVIP

十 ARM9(2440) 对 nand flash 的读写操作程序实例 转载自：骨 Zi 里德骄傲 我相信上一篇文章已经对 nand flash 的操作有了一定的了解，下面一起看一下 程序实例： #include include.h extern void Uart_Printf(char *fmt,...); extern void Uart_Init(int baud); //extern void Uart_Select(int ch); static void InitNandCfg(void) 配置芯片{ 配置芯片 rGPACON = (rGPACON ~(0x3f17)) | (0x3f17); // 引脚，因为GPACO复位后各位的值为1所以此步也可没有 //TACLS 为 1 个 HCLK TWRPH为 5 个 HCLK TWRPH为 2 个 HCLK 数据宽度 8 位 rNFCONF = (TACLS12)|(TWRPH08)|(TWRPH14)|(00); //禁止紧锁，软件禁止上锁，禁止非法访问中断，禁止RnB中断，RnB检测上升 沿，锁定备份ECC锁定主数据区域ECC生成，初始化ECC编码器/译码器， //强制nFCE为高(禁止片选),NAND Flash控制器使能 rNFCONT = (013)|(012)|(010)|(09)|(08)|(16)|(15)|(14)|(11)|(1 0); } 未接好?static U32 WaitNFBusy(void) // R/B 未接好? U8 stat; WrNFCmd(QUERYCMD);//0x7读状态命令 do { stat = RdNFDat();// 读取 NFDATA } while (!(stat0x40));// ，第 6 位，判断是否在忙 WrNFCmd(READCMDO)写页读命令周期0 return stat1; // 注意 0 为操作成功 } static U32 ReadChipId(void) { void ReadPage(U32 addr, U8 *buf)// void ReadPage(U32 addr, U8 *buf)// 并没有使用 ECC校验 U32 id,k; 等待不忙 应该是只读的厂商 ID 延时低 8 位为设备 ID 关闭片选NFChipEn(); // 使能片选 WrNFCmd(RdlDCMD);/渎 ID 命令 WrNFAddr(0);// 写入地址 0 等待不忙 应该是只读的厂商 ID 延时 低 8 位为设备 ID 关闭片选 NFChipDs(); // return id;// 返回 ID 值 } static U16 ReadStatus(void) { U16 stat; NFChipEn(); // 片选使能 WrNFCmd(QUERYCMD);读状态命令 stat = RdNFDat(); // 读取状态值 NFChipDs();// 关闭片选 return stat; } U32 EraseBlock(U32 addr)// 输入参数是具体的页数，擦除的是页数所在的块 { U8 stat; addr = ~0x3f;// 为了将地址赋给 A18~A19 NFChipEn(); // 片选使能 WrNFCmd(ERASECMD0); 擦// 除命令周期 0 WrNFAddr(addr);// 写地址写 3 个行周期 A18~A19 WrNFAddr(addr8);//A20~A27 WrNFAddr(addr16);//A28 WrNFCmd(ERASECMD1); //擦除命令周期 1 stat = WaitNFBusy();// 等待不忙 NFChipDs();// 关闭片选 return ~stat;// 返回 1 则操作成功 } { U16 i; NFChipEn();// 片选使能 WrNFCmd(READCMD0)读命令周期 0 WrNFAddr(O);// 写列地址 AO~A7 WrNFAddr(0);// 写列地址 A8~A11 WrNFAddr(addr);// 行地址 A12~A19 WrNFAddr(addr8);// 行地址 A20~A27 WrNFAddr(addr16);// 行地址 A28 WrNFCmd(READCMD1)读命令周期 1 InitEcc();// 复位 ECC WaitNFBusy(); for(i=0; i2048; i++) buf[i] = RdNFDat();// 读取数据存入 buf 中 NFChipDs();// 关闭片选 } U32 WritePage(U32 addr, U8 *buf) { U32 i, mecc; U8