最新版模拟电子技术试卷五套(含答案).docxVIP

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最新版模拟电子技术试卷五套(含答案).docx

精品文档 精品文档 PAGE PAGE #欢迎下载 精品文档 精品文档 PAGE PAGE #欢迎下载 模拟试卷 一、 填空(16分) ?半导体二极管的主要特性是 。 ?三极管工作在放大区时,发射结为 偏置,集电结为 偏置;工作在 饱和区时发射结为—偏置,集电结为— 置。 3?当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的 —倍,或 者是下降了 _dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为 。 4?为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入 反馈。 5 ?乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流 ICQ = 、静态时的电源功耗 PDC= 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 ,但这种功 放有 真。 6?在串联型稳压电路中,引入了 一一负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作 在 区域。 二、 选择正确答案填空(24分) 差模输入电压为差模输入电压为差模输入电压为差模输入电压为10 mV, 差模输入电压为 差模输入电压为 差模输入电压为 差模输入电压为 10 mV,共模输入电压为10 mV, 10 mV,共模输入电压为20 mU 20 mV,共模输入电压为10 mU 20 mV,共模输入电压为20 mU 通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的 () A.输入电阻高B .输出电阻低C .共模抑制比大D .电压放大倍数大 在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应() A.减小C,减小Ri B .减小C,增大Ri C?增大C,减小Ri D .增大C,增大Ri 6.如图所示复合管,已知V1 6.如图所示复合管,已知 V1 的 b1 = 30 , V2 的 b2 = 50 , 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V, -10 V , -9.3 V,则这只三极管是()。 A. NPN型硅管B . NPN型锗管C . PNP型硅管D . PNP型锗管 2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为()。 A. P沟道增强型MOS? B. P沟道结型场效应管 / C. N沟道增强型MOS? D. N沟道耗尽型MOS? 4 [ * 卫/7 3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV则电路的()。 复合后的b约为()。 A. 1500 B . 80 C . 50 D . 30 RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和() A.基本共射放大电路B .基本共集放大电路 C?反相比例运算电路D .同相比例运算电路 已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是 ()。 A.积分运算电路B .微分运算电路C .过零比较器D .滞回比较器 三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数: V1的bl、rbel , V2的b2、 rbe2,电容C1、C2 CE在交流通路中可视为短路。 分别指出VI、V2的电路组态; 画出图示电路简化的H参数微变等效电路; 计算中频电压放大倍数 Au,输入电阻Ri和输出电阻Ro, (12分) 四、图示运算放大电路中,已知 u1 = 10 mV , u2 = 30 mV,求uO = ? (10分) iod kn50旳 50 kfiI i—r— iod kn 50 旳 50 kfi I i—r— A 1扯 ■n I?; 五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示,试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率 五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示, 试分别求出电路的 中频电压放大倍数及下限截止频率(8分) 六、分析图示两个电路的级间反馈。回答:(12分) 它们是正反馈还是负反馈? 2 ?是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有? 3?它们属于何种组态? 4?各自的电压放大倍数大约是多少? diOOiku| 50 tnt kQ10 kQLOhLJlOfcO d iOOiku | 50 tn t kQ 10 kQ LOhLJ lOfcO o V4700 o V 4700 jiF 七、电路如图所示。试回答: ?该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件? ?如不满足,应如何改动使之有可能振荡?如果满足,则它属于哪种类型的振 荡电路? (10 分 (10 分) 八、电路如图所示,已知稳压管 DZ的稳压值UZ = 6 V, IZmin = 5 mA , IZmax = 40 mA 变压器二次电压有效值 U2 = 20 V,电阻R = 240 W,电容C = 200卩F。 求:(8分) ?整流滤波后的直流电压 UI(AV)约为多少伏? 当电网电压在 土 10%勺围内波动时,负载电阻允许的变化范围有多大? 模拟试卷二 一、 填空:(1

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