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光电综合设计 学院：光电工程学院 专业：光电信息工程 姓名：徐一 学号： 2016年1月4日?2016年1月15日 TOC \o 1-5 \h \z \o Current Document 一、 课题1:半导体中载流子浓度的计算分析 1 课题任务要求及技术指标 1 12课题分析及设计思路 1 系统设计（建模） 2 14 仿真结果与结果分析 2 \o Current Document 二、 课题2 :光学系统中的物像关系 4 课题任务要求及技术指标 4 22课题分析及设计思路 4 系统设计（建模） 5 仿真结果与结果分析 7 \o Current Document 三、 课题3 :椭圆偏振光的仿真计算 9 课题任务要求及技术指标 9 课题分析及设计思路 9 系统设计（建模） 9 仿真结果与结果分析 10 四、 课题7 :光学谐振腔的设计 13 课题任务要求及技术指标 13 课题分析及设计思路 13 系统设计（建模） 14 仿真结果与结果分析 16 五、课题 五、课题11:光电探测器光电流的计算 13 五、课题 五、课题11:光电探测器光电流的计算 13 课题任务要求及技术指标 13 32课题分析及设计思路 13 33系统设计（建模） 14 34 仿真结果与结果分析 16 六、课程设计小结 18 PAGE PAGE # PAGE PAGE # 、课题1 :半导体中载流子浓度的计算分析 课题任务要求及技术指标 设计任务： 若锗中含有一定数量的杂质元素 Sb，试根据要求分析杂质浓度与电离度以及电离温度 之间的关系： (1)当Sb浓度分别为1014cm‘和1017cm-时，计算杂质99 %, 90%和50%电离时的 温度各为多少？ (2 )根据一定杂质类型和杂质浓度，画出电离度和温度的关系图线，并确定半导体处 于强电离区(电离度 90 %)的温度范围。 设计要求： 具有友好输入输出界面； 调整输入数据，得出相应结果，并进行分析。 课题分析及设计思路 本题是已知掺杂一定数量杂质的半导体， 分析其杂质浓度、电离度及电离温度之间的关 系，并且在已知杂质浓度的条件下根据电离度计算温度。 由固体电子导论中载流子浓度的知 识，随着温度升高，电离程度加大，载流子浓度也增加，但温度进一步升高后，杂质全部电 离，此时以本征激发为主，载流子浓度迅速增加，本题中锗中掺 Sb时，形成n型半导体, 任务是要作出一定掺杂浓度下电离度和温度的关系曲线，计算公式如下： 浓度为1014时电离度与温度的关系式为： D=1-exp(116./T)*10A(14)/10A(15)./T.A(1.5) 浓度为1017时电离度与温度的关系式为： D=1-exp(116./T)*10A(17)/10A(15)./T.A(1.5) 系统设计(建模) global a; global b; c仁solve(116/T=1.5*log(T)-23); c2=solve(116/T=1.5*log(T)-9.2); c3=solve(116/T=1.5*log(T)); c4=solve(116/T=1.5*log(T)-6.9); c5=solve(116/T=1.5*log(T)+3); c6=solve(116/T=1.5*log(T)-3.9); set(ha ndles.edit1,Stri ng,); switch a case 1 if b==1 set(ha ndles.edit1,Stri ng,double(c1)); elseif b==2; set(ha ndles.edit1,Stri ng,double(c3)); elseif b==3; set(ha ndles.edit1,Stri ng,double(c5)); en d; case 2 if b==1 set(ha ndles.edit1,Stri ng,double(c2)); elseif b==2; set(ha ndles.edit1,Stri ng,double(c4)); elseif b==3; set(ha ndles.edit1,Stri ng,double(c6)); en d; end 仿真结果与结果分析 Q学导体中则子浓虔的计 Q学导体中则子浓虔的计H分祈812030408 Q学导体中则子浓虔的计 Q学导体中则子浓虔的计H分祈812030408 电离度和温度的关系曲线I l沐度cm*3)——电咼度(099 2]T l沐度cm*3)—— 电咼度 (099 2] T 二 37.1502 K 强电离条件下 T 24.2534 K Q半导如锻淤子浓M计寫分忻B12O3O4O