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* * * * */29 3 逻辑门电路 3.1 逻辑门电路简介 3.2 基本CMOS逻辑门电路 3.3 CMOS逻辑门电路的不同输出结构及参数 3.4 类NMOS和BiCMOS逻辑门电路 3.5 TTL逻辑门电路 *3.6 ECL逻辑门电路 3.7 逻辑描述中的几个问题 3.8 逻辑门电路使用中的几个实际问题 3.9 用VerilogHDL描述CMOS逻辑门电路 */29 教学基本要求： 1、了解半导体器件的开关特性。 2、熟练掌握基本逻辑门（与、或、与非、或非、异或门）、三态门、OD门（OC门）和传输门的逻辑功能。 3、学会门电路逻辑功能分析方法。 4、掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。 3. 逻辑门电路 */29 1 、逻辑门:实现基本逻辑运算和常用逻辑运算的单元电路。 2、 逻辑门电路的分类 二极管门电路 三极管门电路 TTL门电路 MOS门电路 PMOS门 CMOS门 逻辑门电路 分立门电路 集成门电路 NMOS门 3.1.1 各种逻辑门电路系列简介 BiCMOS门电路 */29 1.CMOS集成电路: 广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路 4000系列 74HC 74HCT 74VHC 74VHCT 速度慢 与TTL不兼容 抗干扰 功耗低 74LVC 74AUC 速度加快 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰 功耗低 速度两倍于74HC 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰 功耗低 低(超低)电压 速度更加快 负载能力强 抗干扰 功耗低 74系列 74LS系列 74AS系列 74ALS 2.TTL 集成电路: 广泛应用于中大规模集成电路 3.1.1 数字集成电路简介 */29 逻辑变量取值0或1，对应电路中电子器件的“闭合”与“断开”。 3.1.2 开关电路 (a) 输出逻辑1 (b) 输出逻辑0 MOS管或BJT管可以作为开关。 */29 3.2 基本CMOS逻辑门电路 3.2.1 MOS管及其开关特性 3.2.2 CMOS反相器 3.2.3 其他基本CMOS逻辑门电路 3.2.4 CMOS传输门 */29 CMOS门电路是以MOS管为开关器件。 MOS管的分类： N沟道 P沟道 P沟道 N沟道 MOS 增强型 耗尽型 3.2.1 MOS管及其开关特性 */29 1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 MOS管的分类： 源极 栅极 漏极 p-型半导体 n-型半导体 符号 */29 1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 (1) VGS 控制沟道的导电性 vGS=0, vDS?0, 等效背靠背连接的两个二极管, iD?0。 vGS0, 建立电场 ?反型层 ? vDS0, iD ?0。 沟道建立的最小 vGS 值称为开启电压 VT. */29 1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 (2) VGS 和VDS共同作用 vGS VT, vDS0, 靠近漏极的电压减小。 当VGS VT, iD 随VDS增加几乎成线性增加 。 当vDS ? ? vGD=(vGS?vDS)?VT, 漏极处出现夹断。 继续增加VDS ? ? 夹断区域变大， iD 饱和。 */29 2. N沟道增强型MOS管的输出特性和转移特性 输出特性分为 截止区： 可变电阻区：沟道产生， iD 随vDS线性增加， rds为受vGS控制可变电阻。 饱和区： (a)输出特性曲线 （b）转移特性曲线 */29 3. 其他类型的MOS管 (1) P沟道增强型MOS管 结构与NMOS管相反。 vGS、vDS 电压极性与NMOS管相反。 开启电压vT为负值 (2) N沟道耗尽型MOS管 绝缘层掺入正离子，使衬底表面形成N沟道。 vGS电压可以是正值、零或负值。 vGS达到某一负值vP，沟道被夹断， iD =0。 */29 (2) N沟道耗尽型MOS管 N沟道耗尽型MOS管符号如图。 (3) P沟道耗尽型MOS管 结构与N沟道耗尽型MOS管相反。 符号如图所示。 */29 4. MOS管开关电路 ：MOS管工作在可变电阻区，输出低电平 : MOS管截止， 输出高电平 当υI VT 当υI VT */29 MOS管相当于一个由vGS控制的无触点开关。 MOS管工作在可变电阻区，相当于开关“闭合”，输出为低电平。 MOS管截止，相当于开关“断开”，输出为高电平。 当υI 为低电平时： 当υI为高电平时： */29 由于MOS管栅极、漏极与衬底间电容，栅极与漏极之间的电容存在，电路在状态转换之间有电容充、放电过程。 输出波形上升沿、下降沿变得缓慢。 5. MOS管开关电路的动态特性 MOS管开关电路的缺点：输入为高电平时，电阻