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第五章 X射线荧光分析 X射线的探测 X射线探测器——半导体探测器 Si(Li)半导体探测器 .精品课件. * 第五章 X射线荧光分析 X射线的探测 X射线探测器——半导体探测器 Si-PIN半导体探测器 .精品课件. * 第五章 X射线荧光分析 X射线的探测 X射线探测器——半导体探测器 SDD探测器 X射线光子穿过探测器上的Be窗，射到Si片上，被Si吸收。 ? 注意：1、Be窗的厚度8um，Na以前的元素产生的特征谱线都被 Be窗吸收了，即使Na、Mg的信号也被吸收得很严重。 2、Be有毒，不要用手碰。 (2) 入射的X射线光子中约每4 eV 可以激发出Si中的一个电子。 ? 4000 eV 的X射线可以激发1000个电子 (3) 这些电子被收集并放大为脉冲。 ? 所输出的脉冲大小正比于所探测到的X射线光子的能量 .精品课件. * 第五章 X射线荧光分析 X射线的探测 X射线探测器——半导体探测器 SDD探测器 XFlash 410 ? 第4代硅漂移探测器 ? 活性面积：10 mm2 ? 能量分辨率 145 eV FWHM @ Mn K? ? @ 100 000 cps ? 计数率 ? 最大输入计数率：250 000 cps ? 最大输出计数率：130 000 cps 并且分辨率不下降 .精品课件. * 第五章 X射线荧光分析 X射线的探测 X射线探测器——半导体探测器 SDD探测器 Energy resolution of Cu K? at different count rates. Cu-Spectra independent of pulse load 30000 25000 20000 15000 10000 5000 0 -5000 Energy [keV] 7,0 7,5 8,0 8,5 9,0 9,5 10,0 .精品课件. * 第五章 X射线荧光分析 X射线的探测 X射线探测器—几种常用探测器特性比较 项目 类型 闪烁计数器 正比计数器 Si(Li) HP.Ge Si-PIN 工作温度 常温 常温 -197C° -197C° 电制冷 探测效率 较高 较低 较高 较高 较高 分辨率 100%-55Fe 10%-137Cs 15%-55Fe 160eV-55Fe 180eV-55Fe 0.5KeV-57Co 190eV-55Fe 能量范围 5KeV 1~40KeV 2~20KeV 5~150KeV 2~12KeV 对高压要求 高 高 低 低 低 分辩时间 0.1μs 0.2μs 0.1μs 0.1μs 0.1μs 使用寿命 较短 较短 无限 无限 无限 .精品课件. * 第五章 X射线荧光分析 二类X射线荧光光谱仪 波长色散X射线荧光光谱 ( WD-XRF ) X射线 光管 样品 ? ? ? ? 探测器 分光晶体 ? 由分光晶体对不同波长 ? (或能量)的X射线荧光特征谱线进行分光 ? 探测器只用于探测经过分光后单 一波长（能量）的特征谱线的光 子数 N ? 波长色散X射线荧光光谱的分辨率好（可以分辨几个eV），几乎适合所 有的应用 ? 由于准直器和分光晶体造成的信号强度的降低，通过提高X射线光管的功 率来补偿 (S4: 1- 4 kW) .精品课件. * 第五章 X射线荧光分析 二类X射线荧光光谱仪 能量色散X射线荧光光谱 (EDX , ED-XRF) 探测器要同时起到二个作用： ?分辨不同能量E的特征谱线 ?记录各谱线的光子数N 能量色散X射线荧光光谱的分辨率较差（144eV@Mn Kα），适合于特定的应用 不用分光晶体和测角仪，仪器结构小巧简单。不用Sollar狭缝，信号降低 少，X射线光管的功率低 (S2: 50W) 探测器的性能决定了ED-XRF的分析性能 探测器的性能： ?能量分辨率 ?最大计数率 X射线 光管 E 1 E 2 N 1 N 2 探测器 样品 .精品课件. * 第五章 X射线荧光分析 X射线荧光定量分析基本方程 一般方程 假设样品为无限大的光滑平面，密度为ρ，厚度为X，目标元素分布均匀且含量为C。激发源为单一能量的光子源，能量为E0，初级射线和特征X射线均为平行射线束，与样品表面的夹角分别为α和β。若样品表面上初级射线的照射量率为I0，则初级射线束在深度为x处的照射量率为： .精品课件. * 第五章 X射线荧光分析 X射线荧光定量分析基本方程 一般方程 因而初级射线束在通过薄层dx层时减少的照射量率 为： 样品中目标元素A的某一能级q所吸收的能量为： 目标元素A原子q能级的光电截面 .精品课件. * 第五章 X射线荧光分析 X射线荧光定量分析基本方程 一般方程 则样品中目标元素