3.2.6 实际晶体中的位错-2011.ppt

例题： 在Al的单晶体中，若（111）面上有一位错b=a/2[10T]与（11T）面上的位错b=a/2[011]反应时： （1） 写出上述位错反应方程式，并用能量条件判断位错反应进行的方向； （2） 说明新位错的性质。 * 纸面为面心立方点阵的（T10）面，面上的“红点”代表恰在此面上的原子，“兰点”代表纸面上一层或下一层面上的原子，因此每一条线都是前后两个面上相邻原子的连线。图中每一横排原子是一层垂直于纸面的（111）面，这些面沿[111]晶向的正常堆垛顺序为ABCABC……。如果使晶体的左上部相对于其它部分产生图中OA矢量的大小的滑移，即滑移矢量是a/6<11(-2)>，则原来的A层原子移到B层原子的位置，A以上的各层原子也依次移到C、A、B……层原子的位置。于是堆垛顺序变成 Ａ Ｂ Ｃ Ｂ Ｃ Ａ Ｂ △△▽△△△ 即形成了抽出型层错，而晶体的右半部仍按正常顺序堆垛，因此在层错区与完整晶体的边界上形成一个柏氏矢量为的刃型肖克莱不全位错。 这种不全位错具有一定的宽度，其位错线可以是{111}面上的直线或曲线，因此也可能出现螺型或混合型的肖克莱不全位错，这一点与全位错的性质相同。与全位错不同的是这种位错的四周不全是原来的晶体结构，因为层错区中就有局部的密排六方结构。另外，由于层错是沿平面发生的，所以这种位错的位错线不可能是空间曲线。 密排面左侧晶体因滑移引起第四层A原子沿[11(-2)]方向滑移了1/3原子间距，而原子间距为（根号6）a/2，所以第四层原子的滑移距离为1/3 x （根号6）a/2 =（根号6）a/6 * 纸面为面心立方点阵的（T10）面，面上的“红点”代表恰在此面上的原子，“兰点”代表纸面上一层或下一层面上的原子，因此每一条线都是前后两个面上相邻原子的连线。图中每一横排原子是一层垂直于纸面的（111）面，这些面沿[111]晶向的正常堆垛顺序为ABCABC……。如果使晶体的左上部相对于其它部分产生图中OA矢量的大小的滑移，即滑移矢量是a/6<11(-2)>，则原来的A层原子移到B层原子的位置，A以上的各层原子也依次移到C、A、B……层原子的位置。于是堆垛顺序变成 Ａ Ｂ Ｃ Ｂ Ｃ Ａ Ｂ △△▽△△△ 即形成了抽出型层错，而晶体的右半部仍按正常顺序堆垛，因此在层错区与完整晶体的边界上形成一个柏氏矢量为的刃型肖克莱不全位错。 这种不全位错具有一定的宽度，其位错线可以是{111}面上的直线或曲线，因此也可能出现螺型或混合型的肖克莱不全位错，这一点与全位错的性质相同。与全位错不同的是这种位错的四周不全是原来的晶体结构，因为层错区中就有局部的密排六方结构。另外，由于层错是沿平面发生的，所以这种位错的位错线不可能是空间曲线。 密排面左侧晶体因滑移引起第四层A原子沿[11(-2)]方向滑移了1/3原子间距，而原子间距为（根号6）a/2，所以第四层原子的滑移距离为1/3 x （根号6）a/2 =（根号6）a/6 * 纸面为面心立方点阵的（T10）面，面上的“红点”代表前一个面上的原子，“兰点”代表后一个面上的原子，因此每一条线都是前后两个面上相邻原子的连线。图中每一横排原子是一层垂直于纸面的（111）面，这些面沿[111]晶向的正常堆垛顺序为ABCABC……。如果使晶体的左上部相对于其它部分产生图中OA矢量的大小的滑移，即滑移矢量是a/6<11(-2)>，则原来的A层原子移到B层原子的位置，A以上的各层原子也依次移到C、A、B……层原子的位置。于是堆垛顺序变成 Ａ Ｂ Ｃ Ｂ Ｃ Ａ Ｂ △△▽△△△ 即形成了抽出型层错，而晶体的右半部仍按正常顺序堆垛，因此在层错区与完整晶体的边界上形成一个柏氏矢量为的刃型肖克莱不全位错。 这种不全位错具有一定的宽度，其位错线可以是{111}面上的直线或曲线，因此也可能出现螺型或混合型的肖克莱不全位错，这一点与全位错的性质相同。与全位错不同的是这种位错的四周不全是原来的晶体结构，因为层错区中就有局部的密排六方结构。另外，由于层错是沿平面发生的，所以这种位错的位错线不可能是空间曲线。 密排面左侧晶体因滑移引起第四层A原子沿[11(-2)]方向滑移了1/3原子间距，而原子间距为（根号6）a/2，所以第四层原子的滑移距离为1/3 x （根号6）a/2 =（根号6）a/6 * 负Frank分位错的实际形成原因是晶体中的过饱和空位聚集成空位团，并沿<111>方向塌陷，形成{111}空位片。由于空位是晶体中固有的（或现成的），故所形成的层错称为内禀层错。 正Frank分位错的实际形成原因是晶体中由于外来高能粒子辐照产生的过剩间隙原子优先分布在{111}面之间，形成间隙原子片，故称外禀层错。 * 负Frank分位错的实