红外探测器的发展.docVIP

红外技术发展的先导是红外探测器的发展，一个国家红外探测器的技术水平代表着其红外 技术发展的水平。最早的红外探测器是1800年英国天文学家威廉?赫歇耳发明的水银温度 计,随后发明了热电偶、热电堆,1880年美国的Langley发明了测热辐射计。最初的红 外探测器主要是热电探测器，肓至1917年Case研制出第一只硫化铠光电导探测器，这 种探测器比热电探测器灵敏度高，响应也快。第二次世界大战，人们认识到了红外技术在 军事应用屮的巨大潜力，开始对红外技术极为重视，寻找新的材料和制作方法。19世纪 40年代初，以PbS为代表的光电型红外探测器问世，随后又出现了硒化铅、硏化铅探测 器。二次大战后，半导体技术的发展推动了红外探测技术的发展，先后出现了 InSb、 HgCdTe、掺杂Si、PtSio InSb的灵敏度较高,但是带隙只有0?22eV,所以只能探测低 于5.6pmo PtSi由于它的高均匀性和可生产性，可以做成大的焦平面阵列,但是其截至波 长为5.7pm,也只能用于屮短波范围，而且量了效率很低。同时InSb和PtSi都没有波 长可调性和多色探测能力。掺杂Si有很宽的光谱带宽，但是也不具备波长可调性，而且必 须工作在很低的温度。1959年Laws。研制出硏镉汞(HgxCdl-xTe)的长波长红外探 测器，这是红外技术史上的一次重要进展。它是冃前性能最好，也是最广泛应用的II-VI 族红外探测器。它是利用带间吸收，因此具有极高的探测率和最了效率。通过调节Hg的 组分x可以实现带隙从0?0?8eV的连续可调。因此它所能探测的波长范围覆盖了屮波红 外(3-5pm)和长波红外(8-14pm)两个波段。 而利用MBE生长的III—V族材料体系制成的量了阱材料正好可以弥补晞镉汞方面的不 足，III—V族材料生长、器件制作工艺成熟，适于制作大面阵探测器。同时111一V族材 料组分容易控制和调节，通过调节化合物的组分，可以比较容易的改变量了阱的阱宽、垒 高等参数，进而可以调节探测波长。可以覆盖三个主要的大气窗口。因此III-V族材料在 实现多色探测方面也有很大的优势。因此有望与HgxCdl-xTe材料并驾齐驱，在军事上 和民川上都发挥重要的应用。以下图1为红外探测器研究的发展史。 图1红外探测器发展历史 表1列出了几种常用红外探测器材料及他们的响应波段 范围 探测器材料 近红外(0.7-1.1pm) 娃光电二极管(Si) 短波红外(1?3 pm) 锢傢砌(InGaAs)、硫化铅探测器(PbS) 屮波红外(3?5 pm) 怫化钢(InSb)、硒镉汞探测器(HgCdTe)、最 子阱探测器(QWIP) 长波红外、热红外(8-14 pm) 晞镉汞探测器(HgCdTe)、最子阱探测器 (QWIP) 远红外(16 pm以上) 量子阱探测器(QWIP) 18501M019801110701M01M02000 1850 1M0 1980 11 1070 1M0 1M0 2000 表1?儿种常用的红外探测器及它们的响应波段 红外探测器的应用前景 由于MCT材料制备困难、制备周期长、成木高、均匀性差等缺点，使得在制备红外焦 平面阵列时失去了优势，这时III—V族量了阱红外探测器开始崭露头角。特别是 GaAs/AIGaAs等材料系，由于用该类材料的光电了和高速微电了器件已大批量投放市 场，真到6英寸的大血积GaAs衬底已可商用，其材料生长及器件制作工艺十分成熟，材 料的均匀性好(美国的Gunapala MBE方法生长的外延片所制成的256*256的手持照 相机在65536个像索屮只冇10个盲点)。器件成品率高，可大大降低红外探测器的成 本。 心)军事和国防领域 红外探测器的发展得益于战争尤其是二次人战的刺激。随后的冷战时期，到现今的局部 战争，人们不断加深对红外探测器重要性的认识。至今，军事应用仍占敕个红外敏感器市 场的75%o军用红外系统通常工作在3?5pm和8?10pm两个大气窗口，它能透过 烟、尘、雾、树丛等，可以实现昼夜探测。夜幕历来是战争的屏障，由于红外技术的发 展，掌握红外探测优势的一方具有单向透明的优 图2屮波1024x1024 QWIP照相机的红外成像 图3长波1024x1024 QWIP照相机的红外成像 点，常规的树从和夜色越来越不起作用。图2为长波1024x1024 QWIP照相机的红外 成像，图3为四英寸GaAs片上的9个1024x1024像素的焦平面阵列。图4为用长波 长最了阱红外探测器(QWIP) RADLANCE摄像机拍摄到的Delta-II运载火箭发射过程 的红外图。 图4长波长QWIP RADLANCE摄像机拍摄到的Delta-II运载火箭发射过程的红外图 (b)消防方面的应用 量了阱红外探测器可以覆盖更长的波长，川它做成的量了阱红