固体的能带结构.pptVIP

2021/2/11 * ２.ｐ型半导体 四价的本征半导体Si、Ｇe等,掺入少量三价的杂质元素〔如Ｂ、Ga（镓）、Ｉn（铟）等〕形成空穴型半导体,称 p 型半导体． 量子力学计算表明,这种掺杂后多余的空穴的能级在禁带中紧靠满带处,?ED～10-2eV,称之为局部能级。其能带宽度比起满带到导带的禁带宽度?E要小得多，因此满价带中的电子很容易受激而跃入到局部能级。 ●受主能级的形成 在四价的本征半导体硅或锗中掺入少量的三价元素,如硼,则硼原子分散地取代一些硅或锗形成共价键时,由于其缺少一个电子而出现一个空穴的能量状态——空穴。 由于该局部能级是收容从满价带中跃迁来的电子,该能级称受主能级． 此时的杂质即称为受主杂质。 2021/2/11 * 空 带 ED 满 带 受主能级 P型半导体 Eg 在p型半导体中 空穴……多数载流子 电子……少数载流子 Si Si Si Si Si Si Si + B - 2021/2/11 * ●两点说明: （1）受主能级中的空穴并不参与导电,参与导电的是:满价能带中电子跃迁到受主能级后遗留下的空穴。 （2）同样,在P型半电体中也有两种载流子,但主要是空穴载流子。 3. n型化合物半导体 例如,化合物GaAs中掺Ｔｅ（碲）,六价的Te替代五价的As可形成施主能级,成为n型GaAs杂质半导体． 4.ｐ型化合物半导体 例如,化合物 GaAs中掺Zn,二价的Zn替代三价的Ga可形成受主能级,成为p型GaAs杂质半导体． 2021/2/11 * （四） Ｐ-Ｎ结 一、Ｐ-Ｎ结的形成 如果把P型 半导体和N型 半导体相接触,那么在接触的边界区就会形成一种特殊电结构,即P——N结。 ◆由于P型半导体中空穴载流子的浓度远大于电子载流子,而N型半导体中电子载流子的浓度远大于空穴载流子,因此当它们相接触时,在接触边界两边的载流子的浓度差就特别大。 Ｎ区的电子向Ｐ区扩散,Ｐ区的空穴向Ｎ区扩散。在扩散前,N,P型 半导体都是电中性。因此扩散的结果，在P型半导体和Ｎ型半导体的交界面附近的两侧就出现了正，负电荷的堆积，即在交界处形成了一个电偶层，其厚度约为10-7m（即大约1000个原子的厚度），这就是P——N结。 2021/2/11 * 内建场大到一定程度,不再有净电荷的流动,达到了新的动态平衡． P-N结 n型 p型 内建场阻止电子 和空穴进一步扩散， 记作 ． 在P——N结中有一个由N指向P的附加电场,称为内建场,又称阻挡层。 2021/2/11 * 1、 P-N结处存在电势差Uo,P型 一侧较低,N型 一侧较高,形成一个势垒。 也阻止右边 N区 带负电的电子进 一步向左扩散． 它阻止左边 P区 带正电的空穴进 一步向右扩散; U0 电子能级 电势曲线 电子电势能曲线 P-N结 二、P——N结能带的弯曲现象． 2021/2/11 * 考虑到P-Ｎ结的存在,半导体中电子的能量应考虑进这电势差U0带来的电子附加势能-eU0. P型 一侧电势较低,这样在P型 导带中的电子要比在N型 导带中的电子的电势能较高,其能量的差值即为eU0. U0 电子能级 电势曲线 电子电势能曲线 P-N结 2、P——N结能带的弯曲现象 于是在P—N结的能带就发生了弯曲。 2021/2/11 * 三. Ｐ-Ｎ结的单向导电性 １. 正向偏压 在Ｐ-Ｎ结的p型区接电源正极,叫正向偏压. 阻挡层势垒被削弱、变窄,有利于空穴向N区运动,电子向P区运动, 形成正向电流（mＡ级）． p型 n型 I 2021/2/11 * 外加正向电压越大, 正向电流也越大, 而且是呈非线性的 伏安特性. V （伏） ３０ ２０ １０ （毫安） 正向 0 0.2 1.0 2021/2/11 * ２. 反向偏压 在Ｐ-Ｎ结的ｐ型区接电源负极,叫反向偏压. 阻挡层势垒增大、变宽,不利于空穴向Ｎ区运动,也不利于电子向P区运动,没有正向电流.． I p型 n型 2021/2/11 * 但是,由于少数载流子的存在,会形成很弱的反向电流, 击穿电压 ☆当外电场很强,反向电压超过某一数值后,反向电流会急剧增大----反向击穿． 称为漏电流 （?Ａ级）. V(伏) I -１０ -２０ -３０ （微安） 反向 -20 -30 ☆P—N结正向导通,反向 截止,这种特性即称之为P—N结的单向导电性。 2021/2/11 * 利用P-N结 可以作成具有整