模拟电路期末复习(填空_判断)全解.docVIP

模拟电路复习资料 一、填空（本题共 10 分，每空 2 分） 1．在常温下， 硅二极管的门槛电压约为 0.5V ，导通后在较大电流下的正向压降 约为 0.7V ；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V ，导通后在较大电流下的正向压降 约为 _0.3_V。 2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。 3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。ＰＮ结外加正向电压时， 扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。 4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二 极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连 续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技 术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场 增强 。PN具有 具有单向导电 特 性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压 Vth 约为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时， 其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。 9、P 型半导体的多子为 空穴 、N 型半导体的多子为 自由电子 、本征半导 体的载流子为 电子—空穴对 。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 空穴（ P） 半导体和 电子（ N） 半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电压 。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压 降约为 0.7 V 。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 输出随频率连续变化的稳态响 应 。 15、N型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分， 功率放大电路可分为 甲类 、 乙 类 、 甲乙类 三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中， 影响低频信号放大的是 耦合和旁路 电容， 影响高频信号放大的是 结 电容。 18、在 NPN三极管组成的基本共射放大电路中， 如果电路的其它参数不变， 三极 管的β增加，则 I BQ 增大 ，I CQ 增大 ，UCEQ 减小 。 19、三极管的三个工作区域是 截止 ， 饱和 ， 放大 。集成运算放大器 是一种采用 直接 耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管， 在工作状态中测得它的管脚电压 Va = 1.2V ，V b = 0.5V, V = 3.6V, 试问该三极管是 硅管 管（材料）， NPN 型的三极管，该管的 c 集电极是 a、b、 c 中的 C 。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB和 20dB, 则该 放大电路总的对数增益为 80 dB ，总的电压放大倍数为 10000 。 22、 三极管实现放大作用的外部条件是： 发射结正偏、集电结反偏 。 某放大电路中的三极管， 测得管脚电压 Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是 硅 管（硅、锗）， NPN 型，集电极管脚是 a 。 共 11 页 第 1 页 2014/6/28 模拟电路复习资料 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为： 阻容（RC）耦合 、 直接耦合 和 _变压器耦合 _，其中 直接耦合 能够放大缓慢变化的信号。 24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 负载 ，而前级的输 出电阻可视为后级的 信号源的内阻 。多级放大电路总的通频带比其中 每一级的通频带 要窄。 25、某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V，接入 12kΩ的负载电阻后， 输出 电压降为 3V，这说明放大电路的输出电阻为 4 k Ω。 26、为了保证三极管工作在放大区，要求： ①发射结 正向 偏置，集电结 反向 偏置。②对于ＮＰＮ型三极管， 应使 V ＜0 。 BC 27、放大器级间耦合方式主要有阻容（ RC 变压器 耦 ）耦合、直接耦合和 合三大类。 28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中， 共射和共基组态有电压放大作 用，共射 组态有电流放大作用， 共射和共集 组态有倒相作用； 共集 组态带负载能力强， 共集 组态向信号源索取的电流小， 共 基 组态的频率响应好。 29、三极管放大电路的三种基本组态是 共集 、 共基 、 共射 。 30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有 直接耦合 ， 阻容耦 合 ， 变压器耦合 。 V和 V的波 31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察 O I 形，则 V 和 V 的相位差为 180 0 ；当为共集电极