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模电复习资料 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、错 Ge）。 特性---光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载 流子。 杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。 体现的 是半导体的掺杂特性。 *P型半导体： 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空 穴，少子是电子）。 *N型半导体： 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电 子，少子是空穴）。 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有 关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种 杂质半导体。 PN 结 PN 结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，错材料约为 0.2~0.3V。 PN 结的单向导电性---正偏导通，反偏截止 PN结的伏安特性 Jf/riA 1 1 f 反向特性 /正向特性 wp/V 二.半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降—— 硅管0.6~0.7V，错管0.2~0.3V。 *死区电压 —— 硅管0.5V，错管0.1V。 3.分析方法 —— 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）； 若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路）。 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点Q （a）二极 （a）二极管电路 ＜b）图解分析 2）等效电路法 直流等效电路法 总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）; 若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路） gtig aM折线撲型（b）恒压源模型 gti g a M折线撲型 （b）恒压源模型 微变等效电路法 匕i 匕i .稳压二极管及其稳压电路 稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳 压二极管在电路中要反向连接 第二章三极管及其基本放大电路 三极管的结构、类型及特点 类型---分为NPN和PNP两种。 特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基 区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 三极管的工作原理 三极管的三种基本组态 （町共坝射极组态 （b）ji集电极组态 三极管内各极电流的分配 /CBO 二+ = /b= /bn - /cbo *共发射极电流放大系数（表明三极管是电流控制器件 + (1+/T Zcbo =pib+7c —///r 式子人…门/皿— 称为穿透电流。 共射电路的特性曲线 （：心测试Hi路□ liEE/Vb）输入特性曲线*输出特性曲线（饱和管压降，用UCes表示放大区---发射结正偏，集电结反偏。 截止区---发射结反偏，集电结反偏。 （：心测试Hi路 □ liEE/V b）输入特性曲线 *输出特性曲线 （饱和管压降，用UCes表示 放大区---发射结正偏，集电结反偏。 截止区---发射结反偏，集电结反偏。 4.温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高ICBO I CEO、I C以及B均增 三?低频小信号等效模型（简化） hie--输出端交流短路时的输入电阻， 常用rbe表示； 0 输出特性曲线 （r）简化的H参数習效电賂 hfe ---输出端交流短路时的正向电流传输比, 常用B表示; 基本放大电路组成及其原则VT、Vcc、Rb、R 基本放大电路组成及其原则 VT、Vcc、Rb、Rc、G、C2的作用 组成原则----能放大、不失真、能 放大电路的图解分析法 5 Ui 并本放大电路的习惯風法 传输。 直流通路与静态分析 *概念---直流电流通的回路 画法---电容视为开路。 作用---确定静态工作点 直流负载线---由Vcc=I cRd+UCe确定的直线 电路参数对静态工作点的影响 （B）改变世h Cb）改变虎r （c）故变峠：（： ）改变Fb : Q点将沿直流负载线上下移动。 ）改变FC : Q点在Ibq所在的那条输出特性曲线上移动。 ）改变V：c：直流负载线平移，Q点发生移动。 交流通路与动态分析 概念---交流电流流通的回路 *画法---电容视为短路，理想直流电压源视为短路。 *作用---分析信号被放大的过程。 *交流负载线---连接Q点和V cc点V cc = UCE+I cQF l的 直线 3.静态工作点与非线性失真 截止失真 *产生原因---Q点设置过低 *失真现象---NPN管削顶，PNPf削底。 *消除方法---减小Rb,提高Q。 饱和失真