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新型隧穿场效应晶体管机理及结构优化研究 随着 MOSFET的尺寸逐渐减小 ,MOSFET器件的短沟道效应和量子 效应问题变得日趋严重。当室温下 ,MOSFET的亚阈值摆幅 Subthresholdswing(SS) 所能达到的最小极限是 60mV/dec,所以传统 微纳电子器件变得难以满足现代先进集成电路低功耗设计的要求。 为 了能延续摩尔定律 , 必须突破传统 MOSFET的工作原理 , 寻找一种具有 更小亚阈值摆幅 SS的低功耗器件。隧穿场效应晶体管 Tunnel Field-Effect Transistor(TFET) 器件与传统的场效应晶体管的工作 机制不同 ,TFET 器件电流的产生机理是基于带间隧穿 (BTBT:Band-To-Band Tunneling) 的量子效应 , 而非电子和空穴的热 注入效应。因此 ,TFET 亚阈值摆幅可以突破 60mV/dec,从而成为一种 具有超陡亚阈值斜率和更低亚阈值摆幅的低功耗器件。然而 , 近几年 来大量的实验研究表明 , 基于硅基的普通 TFET器件其开态电流偏小 , 且受陷阱辅助隧穿等非理想效应的影响 , 其亚阈值摆幅性能也达不到 理想值。由载流子的带带隧穿机理可知 , 载流子的隧穿能力和数量受 到材料参数和器件结构的影响最大。 为了得到可观的隧穿电流并提高 SS的性能 , 就要尽可能地增强隧穿结处的电场强度 , 并同时采用隧穿 载流子质量和禁带宽度都较小的材料。 因此要改善 TFET栅结构 , 采用 新型源区材料以及提出新隧穿型式三方面入手 , 对 TFET的电学特性 进行了深入的分析和研究 , 并给出优化方案。本文主要的研究工作可 概括为以下四个部分。 1) 通过分析 TFET两种隧穿机制点隧穿和线隧 穿对开态电流 Ion 的影响 , 发现增大 TFET器件线隧穿部分的比例可以 有效增大开启电流 , 而采用栅源覆盖是提升线隧穿比例最有效的方法。 基于此结果 , 论文提出了双源 SiGe 的 U型栅 TFET器件。通过加长源 区的垂直高度 , 扩张源区的线性隧穿区域 , 从而增大器件的驱动电流。 由于器件沟道将 U 型栅和漏区进行了隔离 , 从而成功地抑制了双极电 流。与传统平面双源结构相比 , 在有效提升开启电流的同时还能有效 减小器件的面积。结果表明 , 采用双源 SiGe 的 U型栅结构 TFET器件 Ion=76 μA/ μm,平均亚阈值摆幅 SSavg=30mV/dec,Ion 是普通双源 TFET的 100 倍。由于反向隧穿结被沟道隔离 , 此时的双极电流下降到 10-13A/ μm。2) 为了提高隧穿效应 , 传统 TFET器件需要型成具有超陡 掺杂分布的 pn 结。由于工艺的难度和杂质的扩散等问题 , 导致实际的 TFET器件其隧穿结构附近的掺杂分布并不陡峭 , 最终导致亚阈值摆幅并不理想。为此考虑在 pn 结中嵌入绝缘层以型成一种新型的 TFET器件。本文提出隧穿介质 TD-TFET器件 , 没有采用传统 TD-FET结构 , 而是直接在 pn 高掺杂中嵌入介质隧穿层。 采用介质隧穿原理的 TFET器件, 由于最大程度地减小了隧穿距离 , 其 Ion 比传统 TFET大 11 倍, 关态电流可小到 10-17A/ μm,并且器件的双极电流被完全抑制。由于实 现了陡峭掺杂 , 器件的亚阈值摆幅达到 20mV/dec。3) 要提高 TFET的驱动电流 , 就要增大器件的线隧穿面积。 EHB-TFET通过交错型式型成的双栅 TFET,由非对称栅电极型成电子和空穴层 , 在沟道中实现整个沟道隧穿。 EHB-TFET器件实现了隧穿面积最大化 , 但依旧存在反向隧穿电流。论文以 3D结构 EHB-TFET器件为研究对象 , 在靠近漏区的沟 道处嵌入绝缘层 , 同时增大器件的 underlap 长度 , 成功地减小了反向 隧穿电流。通过在源区采用 Si0.8Ge0.2 材料 , 在栅高为 1μ m,栅长和宽分别为 200nm,10nm时, 新结构 EHB-TFET的 Ion 可达 4×10-4A 于沟道绝缘层的存在 , 关态电流下降到 5×10-15A, 双极电流减小到 10-14A。4) 根据目前大量实验数据表明 ,TFET 器件的 Ion,Ioff 和 SS 和理论值相差甚远 , 很难达到理想的效果 , 尤其是 III-V 族半导体TFET器件 , 其亚阈值摆幅值并不理想。由于 High-K 栅材料与沟道界 面处存在晶格失配等许多界面缺陷 , 所以本文分析了陷阱辅助隧穿 TAT对 TFET的影响。通过分析不同界面陷阱类型 , 界面陷阱能级的位 ,TAT 机制 , 陷阱的不同界面位置以及温度对 DG-TFET电学性能的影响。陷阱能级位置靠近禁中央后