新型功率场效应晶体管..docxVIP

新型咼耐压功率场效应晶体管 摘要：分析了常规高压 MOSFE的耐压与导通电阻间的矛盾，介绍了内建横向电场 的高压MOSFE的结构，分析了解决耐压与导通电阻间矛盾的方法与原理，介绍并 分析了具有代表性的新型高压 MOSFE的主要特性。 关键词：内建横向电场；耗尽层；导通电阻；短路安全工作区 1 引言 在功率半导体器件中，MOSFE以其高开关速度，低开关损耗，低驱动损耗等特点 而在各种功率变换，特别是在高频功率变换中扮演着主要角色。但随着 MOSH压的 提高，其导通电阻也随之以2.4?2.6次幕增长，其增长速度使 MOSFE制造者和应 用者不得不以数十倍的幅度降低额定电流，以折中额定电流、导通电阻和成本之间 的矛盾。即便如此，高压 MOSFE在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高 不下，如表1所示。 表1管芯面积相近，耐压不同的 MOSFE的导通压降和新型结构 MOSFE的导通压降 型号 VDSS/ ID25C/ ID100C/ Rd(o n25°C/ Rd(o n150C/ VDS/V(ID=ID(1 V A A Q Q 00 IRFBG30 1000 3 1.1 2.0 5 13 26 IRFBF30 900 3.6 2.3 3.7 9.62 21.2 IRFBE30 800 4.1 2.6 3.0 7.65 19.1  IRFBC30 600 3.6 2.3 2.2 5.75 12.6 IRF830 500 4.5 3 1.4 3.64 10.9 IRF730 400 5.5 3.5 1.0 2.6 8.5 IRF634 250 8.1 5.1 0.45 1.15 5.6 IRF630 200 9.0 5.7 0.4 0.92 5.2 IRF530N 100 17.0 12 0.11 0.24 2.9 IRFZ34E 60 28.0 20 0.042 0.076 1.5 IRF23704 30 42.0 31 0.0125 0.02 0.62 SSP07N060 2 f J 600 7.3 4.6 0.6 1.32 6.07 SSP06N80C 800 6 3.8 0.9 2 7.6 IRFPS59N6C C 600 59 37 0.045 0.126 4.66 从表1中可以看到，耐压500V以上的MOSFE在额定结温、额定电流条件下的导通 压降很高，耐压800V以上的导通压降高得惊人。由于导通损耗占了 MOSFE总损耗 的2/3?4/5 ,而使其应用受到了极大限制。 2 降低高压MOSFE导通电阻的原理与方法 不同耐压的MOSFE的导通电阻分布 不同耐压的MOSFET其导通电阻中各部分电阻所占比例也不同。如耐 压30V的MOSFET其外延层电阻仅占总导通电阻的 29% ;耐压600V的MOSFE的 外延层电阻则占总导通电阻的 96 5 %。由此可以推断耐压 800V的MOSFE的导通 电阻将几乎被外延层电阻占据。 欲获得高阻断电压，就必须采用高电阻率的外延层，并增厚。这就是 常规高压MOSFE结构所导致的高导通电阻的根本原因。 降低高压MOSFE导通电阻的思路 增加管芯面积虽能降低导通电阻，但成本的提高所付出的代价是难于 接受的。 引入少数载流子导电虽能降低导通压降，但付出的代价却是开关速度 的降低并出现拖尾电流，导致开关损耗增加，失去了 MOSFE高开关速度的优点。 以上两种办法不能降低高压MOSFE的导通电阻，所剩的思路就是如何 将阻断高电压的低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂、低电阻率分开解决。 如导通时低掺杂的高耐压外延层对导通电阻只能起增大作用而无其它作用。这样， 是否可以将导电通道以高掺杂较低电阻率实现，而在 MOSFE关断时，设法使这个 通道以某种方式夹断，使整个器件耐压仅取决于低掺杂的 N-外延层。基于这种思 想1988年Infineon 推出内建横向电场耐压为 600V的COOLMQ3使这一想法得以 实现。内建横向电场的高压 MOSFE的剖面结构及高阻断电压低导通电阻的示意图 如图1所示 (a 内建横向电场的高压MOSFEE剖面结构 (b 垂直的N区被耗尽 (c 导电沟道形成后来自源极的电子将垂直的 N区中正电何中和并恢复N型 特征 图1 内建横向电场的MOSFE剖面，垂直N区被夹断和导通 与常规MOSFE结构不同，内建横向电场的 MOSFE嵌入了垂直P区， 将垂直导电区域的N区夹在中间，使MOSFE关断时，垂直的P与N之间建立横向 电场，并且垂直导电区域的N掺杂浓度高于其外延区N—的掺杂浓度。 当VGS时，由于被电场反型而产生的 N型导电沟道不能形成，并且 D、S间加正电压，使MOSFET内部PN结反偏形成耗尽层，并将垂直导电的 N 区耗尽。这个耗尽层具有纵向高阻断电压，如图 1(b所示。这时