非光学光刻技术.pptVIP

2021/3/14 * 2021/3/14 * 9.9 离子束光刻 当将离子束应用于曝光时,其加工方式有 1、掩模方式（投影方式） 2、聚焦方式 FIB（直写方式、扫描方式） 3、接近式 2021/3/14 * 聚焦离子束光刻机的基本原理与直写电子束光刻机大体相同,不同之处有 1、由 LMIS（单体或共晶合金）代替电子枪; 2、必须使用质量分析系统; 3、通常采用静电透镜和静电偏转器; 4、主高压的范围较宽,可以适用于曝光、刻蚀、注入等各种不同用途。 2021/3/14 * 离子束曝光技术的优点 1、离子的质量大,因此波长更短,可完全忽略衍射效应; 2、离子的速度慢,穿透深度小,曝光灵敏度高。对于各种电子束光刻胶,离子束的灵敏度均比电子束高近两个数量级,因此可缩短曝光时间,提高生产效率; 3、离子的质量大,因此散射很小,由散射引起的邻近效应小,有利于提高分辨率; 4、当采用与 X 射线类似的接近式曝光时,无半影畸变与几何畸变; 　　5、可以利用 FIB 技术直接在硅片上进行离子束刻蚀或离子注入,而完全摆脱掩模版与光刻胶; 2021/3/14 *