从电子管到集成电路①-最新文档.docxVIP

从电子管到集成电路① 电子管的诞生 1883年美国发明家爱迪生在进行提高电灯灯丝寿命的实验 时在灯丝附近安放了一根金属丝， 然后他意外地发现通电加热的 灯丝和这根金属丝之间竟然出现了微弱的电流。 通过进一步的实 验，爱迪生发现当金属丝对灯丝的电压为正时有电流通过， 而当 电压为负时则没有电流。 这种现象就是“爱迪生效应”， 它成为 后来发明电子管的基础。1897年，英国物理学家约瑟夫?约 翰?汤姆生(J.JThomson, 1856—1940)通过对阴极射线的研究， 证明了从炽热灯丝会发射出一种带负电的粒子流，这就是电子。 由于电子的发现， 人们终于明白 爱迪生效应”就是真空中的热 1 889 1 889年英国工程师弗莱明( 电子发射现象。 J.A.Fleming ， 1849—1945）在 当时迅速兴起的电子学的基础上， 开始对爱迪生效应进行了深入 研究，终于在 1 904年发明了第一种电子元件：一种可用作电磁 波检波器的二极电子管。二极管发明之后，美国无线电工程师 德?福雷斯特(L.de Forest , 1873—1961)即对弗莱明的发明 进行了深入研究。为了改进二极管的性能，福雷斯特于 1906 年 进行了在二极管的负极加入一个电极的实验。 实验结果发现， 在 正极负极之间加入一个金属丝支撑的栅极时，其检波效果最佳， 不久还发现三极管对电流有放大作用。 二极电子管和三极电子管的发明奠定了电子元件的主要技 术基础， 是具有划时代意义的技术发明。 由于电子元件技术的带 动，另一电子基础技术电子线路也得以迅速发展，两者一 动，另一电子基础技术 电子线路也得以迅速发展，两者一 并为后来的广播、 电视、 雷达等电子应用技术的兴起提供了技术 基础。虽然电子管作为 20 世纪前半期电子技术的基础，写下了 光辉的一页，但它也暴露出一些弱点，主要是体积大、重量重、 耗电多、寿命短、需预热等，这同电子设备的发展要求提供体积 小、重量轻、功耗低、可靠性高、起动迅速的元器件，形成了尖 锐的矛盾。这就迫使人们去寻求新的性能更优异的电子器件。 半导体物理学的兴起 半导体物理学是凝聚态物理学的主要分支之一， 在第二次世 界大战之后得到了迅猛发展。它的兴起与 30 年代中后期相关技 术背景和相关科学基础的形成有直接的内在联系。 在技术背景方面，到 30 年代中后期的时候，以热机技术和 电力技术为主要技术标志的第二次工业革命在德、 美、英等国家 已基本完成。以电子管为主要技术基础的电子技术经过从 20 世 纪初到 30 年代中后期的发展，其技术已经基本成熟，其技术局 限也日趋明显。 在科学基础方面， 布洛赫提出的能带理论为半导体物理学的 发展提供了重要的理论基础。 所谓能带理论， 是研究固体中电子 运动规律的一种近似理论。 固体由原子组成， 原子又包括原子实 和最外层电子，它们均处于不断的运动状态。为使问题简化，首 先假定固体中的原子实固定不动，并按一定规律作周期性排列， 然后进一步认为每个电子都是在固定的原子实周期势场及其他 电子的平均势场中运动， 这就把整个问题简化成单电子问题。 到 1931 年英国物理学家威尔逊提出区分绝缘体、半导体和导体的 微观理论判据之后， 半导体物理学已经开始呈现向半导体技术初 步转化的态势。 晶体管的出现 由于半导体物理学的兴起以及电子管本身材料与技术的局 限性，美国贝尔实验室研究部电子管分部主任、 固体物理学家凯 利( M.Kelly )敏锐地察觉到电子技术可能正面临着一场大革命。 1939 年，凯利组建了以肖克利(W.Shockley )、巴丁( J.Bardeen )、 布拉顿( W.H.Brattain )和伍德里奇( D.E.Woodridge )等人为 主要成员的半导体学物理小组。 这是一个年富力强， 既有深厚的 固体物理理论素养， 又有丰富的实验技术经验的科研集体。 他们 的目标是： 探索半导体的导电机制， 研制能消除电子管缺陷并具 有放大功能的新型电子器件。 1947年 12 月，研究小组发现金属与半导体表面形成的两个 充分靠近点接触的结， 存在着相互作用。 巴丁和布拉顿根据这个 效应重新制订了方案， 12 月 23 日终于研制出世界上第一支晶体 三极管，它是用半导体锗制成的点接触型晶体管。 1956 年，肖 克利、 巴丁、 布拉顿三人由于晶体管的发明和半导体物理学的杰 出贡献，共同获得了诺贝尔物理学奖。 P-N 结理论 肖克利及其小组成员在研制第一代晶体管的同时，在固体物 肖克利及其小组成员在研制第一代晶体管的同时， 在固体物 理学已有的电子理论、 量子理论和能带理论的基础上，对半导体物理的导电性进行了深入研究。 1949 到 1950年间，他们提出了以半导体电子理论为基本内容的 P-N 结理论。