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第四章半导体导电性 图4-17 载流子的平均漂移速度与电场强度的关系 第四章半导体导电性 引入热载流子温度为Te,设 为强电场下的迁移率, 为弱电场下的迁移率,由式(4-78)得: 同理可以认为强电场下的迁移率为: 因而: （4-82） （4-81） （4-80） 在热平衡下，Te＝T 所以μ0＝μ，即弱场下欧姆定律的情形．当电场不是很强时，载流子主要是声学波散射，迁移率有所降低．当电场进一步增强，载流子主要是光学波散射，载流子获得的能量大部分又消失了，因而平均漂移速度可以达到饱和．当电场再增强时，则发生所谓击穿现象． 第四章半导体导电性 若只考虑电子与晶格散射，讨论平均漂移速度与电场强度的关系，电子声子间相互作用遵守准动量和能量守恒定律 2. 平均漂移速度与电场强度的关系 式中利用了长声学波的 ， 为声子速度。 可以证明，对于非简并半导体，在单位时间内，由于散射，导带电子能量增益的平均值为： 第四章半导体导电性 设电场强度为E时的迁移率为 ，平均漂移速度为 ，仍定义 ，则在电场作用下，单位时间内电子由电场中获得的能量为： （4-84） 即： 当电子与晶格散射达到稳定状态时，有 得到： 第四章半导体导电性 （4）当电场强度再增大，电子和晶格散射时便可以发射光学声子。设 为光学声子能量，v为电子热运动速度，一般情况 。假定电子遵守玻耳兹曼分布，则v的平均值可表示为： 由式（4-81）得 单位时间由于散射而失去的能量： 单位时间由电场获得的能量： 稳态时两者应相等,即 联立解得： ------与电场无关 第四章半导体导电性 4.7 多能谷散射 耿氏效应 对于只存在欧姆接触的半导体器件结构中，当电场超过某一范围时，观察到半导体内发生微波振荡现象，称为耿氏效应。 负阻效应产生条件：半导体能带结构中存在多能谷，且能谷的曲率不同；载流子发生能谷间散射。 1）负微分电导 负微分电导的 产生机理：对GaAS而言，当电场达到3×103 V/cm后，低能谷1 中的电子可从电场中获得足够的能量而开始转移到高能谷2中，发生能谷间的散射，并伴随发射或吸收一个光学声子．进入能谷2的电子，有效质量大为增加，迁移率大大降低，平均漂移速度减小，电导率下降，产生负阻效应． 第四章半导体导电性 图4-19 与 的关系 设 、 分别代表能谷1和能谷2中的电子浓度，总电子浓度为 ，则电导率为： 微分电导 第四章半导体导电性 是t＝0时未遭散射的电子数。所以在t到t＋dt时间内被散射的电子数为： 式（4-28）的解为： 平均自由时间： （4-31） 当△t很小时，可以写为： （4-27） （4-28） （4-29） （4-30） 第四章半导体导电性 设沿x方向施加电场E，考虑到载流子具有各向同性的有效质量 ，如在t＝0时，某个电子恰好遭到散射，散射后沿x方向的速度为 ，经过时间t后又遭到散射，在t时间作加速运动，再次散射前的速度为： 平均漂移速度为： 根据载流子在电场中的加速以及它们的散射，可导出在一定电场下载流子的平均漂移速度，从而获得载流子的迁移率和电导率的理论式． 第四章半导体导电性 因为 所以： 根据迁移率的定义： 得到电子迁移率为： 同理，空穴迁移率为： （4-36） （4-35） 迁移率与平均自由时间成正比，与有效质量成反比。 第四章半导体导电性 将式迁移率的式子代入电导率描述式，得到： 同时含有两种载流 子的混合型半导体： n型半导体： p型半导体： 本征半导体： 第四章半导体导电性 对等能面为旋转椭球面的多极值半导体，沿晶体的不同方向有效质量不同，所以迁移率与有效质量的关系较为复杂． 下面以硅为例求解电导有效质量 图4-12 推导电导有效质量示意图 硅的等能面分布及外加电场方向如图所示，不同极值的能谷中的电子，沿x，y，z方向的迁移率是不同． 可知，[100]能谷中的电子，沿x方向的迁移率 μ1 =qτn／ml ，其余能谷中的电子，沿x方向的迁移率μ2 =μ3 =qτn／mt ． 第四章半导体导电性 设电子浓度为n，每个能谷单位体积中有n/6个电子，电流密度Jx为： 如令 （4-41） （4-42） 比较以上两式，得： 利用 并代入m1, m2, m3得 （4-45） 第四章半导体导电性 2.迁移率与杂质浓度和温度的关系 因为迁移率与平均自由时间成正比，而又是散射几率的倒数，根据式（4-19）、（4-24）和（4-25）得到不同散射机构的平均自由时间与温度的关系： 电离杂质散射： 声学波散射： 光学波散射： 由 ，可得迁移率与杂质浓度和温度的关系为