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第十章-半导体光学性质和光电 光谱特性 发光二极管的发光光谱直接决定著它的发光颜色。目前能制造出红、绿、黄、橙、蓝、红外等各种颜色的发光二极管，发光光谱半宽度约为20～30nm。 随着结温的上升，峰值波长将随温度增加漂向长波方向漂移，即发射波长具有正的温度系数。 为什么？ 第十章-半导体光学性质和光电 响应时间 发光二极管的响应时间是表示反应速度的一个重要参数，尤其在脉冲驱动或电光调制时显得十分重要。 响应时间是指接通或断开电源时发光二极管启亮或熄灭的时间。直接跃迁的材料的响应时间仅几个纳秒，而间接跃迁材料的响应时间约为100纳秒。为什么？ 发光二级管可利用交流供电或脉冲供电获得调制光或脉冲光，调制频率可达几十兆赫。这种直接调制技术使发光二极管在相位测距仪、能见度仪及短距离通讯中获得应用。 第十章-半导体光学性质和光电 工作寿命 发光二极管的寿命一般是很长的，在电流密度小于1A/cm2的情况下，寿命可达106小时。即可连续工作一百余年，这是任何光源均无法与之竞争的。 发光二极管的亮度随着工作时间的增加而衰减，这就是老化。老化的快慢与电流密度有关。 第十章-半导体光学性质和光电 其他光电器件 光电导 光敏二极管 光敏三极管 光耦合器件 光波导 光存储 光放大 光调制 逻辑功能 第十章-半导体光学性质和光电 增益 光电导型光探测器 第十章-半导体光学性质和光电 光敏二极管 光敏二极管的原理基本上和光电池相同，当光照射到PN结上时，流过PN结的电流会发生变化。因此，通过测量流过PN结的电流即可测量出入射光的强度。 第十章-半导体光学性质和光电 光敏三极管 光敏三极管是一个有基区但没有基极的三极管。基区留有窗口让光通过。 当有光照射到基区上时，有构成be的PN结上有光生电流产生，此电流经三极管放大后流过负载。 第十章-半导体光学性质和光电 光耦合器件 光耦合器件是将发光二极管和光电接收元件组合而构成的一种器件，它是以光子作为传输媒介，将输入端的电信号耦合到输出端，但输入端和输出端在电路上是隔离的。 光电耦合器件具有体积小、寿命长、抗干扰能力强和输入输出间绝缘性能好，单向传输等特点，因而在工业控制等方面得到广泛的应用。 第十章-半导体光学性质和光电 负阻发光器件 负阻发光二极管的结构及伏安特性如下图所示，它相当于两个PN结串在一起，但可以等效为两个三极管。其伏安特性曲线呈S型。 第十章-半导体光学性质和光电 工作原理 当加上如图所示的电压时，由于PN结J2反向，故几乎无电流流过，当偏压提高到J2的击穿电压时，电流开始上升。由于P1N1P2和N1P2N2具有晶体管放大作用，整个体系的电流倍增率大于1，于是电流急增，同时压降迅速降低。 第十章-半导体光学性质和光电 实际工作时，在负阻发光管上预先加上直流偏压，它低于负阻的闭锁电压。 当要选通时，只需在控制极上加一幅度较大的脉冲电压，负阻发光管就可以呈“通”状态，负阻发光管上的电压降为V0。负阻发光管此时可以发出很明亮的光，并且一直保持着，即能把电信号用发光的形式“记住”。 要擦除这记住的信号，除非电压低于维持电压。也可在控制极上加反向脉冲来擦除，其幅度应大于所加的正向电压。 当有光照时，脉冲开启电压可以降低，甚至直接用光照就可使负阻发光管开启。这样可以用一种波长的光把信号写入，使负阻光管“记住”，并通过负阻发光器件发出另一波长和强度的光进行读出。 这一性能可用于光存储、光放大、光波长转换等。 第十章-半导体光学性质和光电 半导体激光器 在异质结应用中已经提到。 1962年，从由液氮冷却的正向偏置的GaAs 的PN结得到了8100埃的脉冲辐射。 不久之后，又有人宣称在GaAs1-XPx混合晶体的结中取得了7100埃的激光作用。 目前由半导体激光器发出的相干幅射的波长已经从红外进入紫外范围。 第十章-半导体光学性质和光电 产生激光的条件和过程 激光器一般是由工作物质、谐振腔和泵浦源组成。 利用泵浦源能量将工作物质中的粒子从低能态激发到高能态，使处于高能态的粒子数多于处于低能态的粒子数，构成粒于数的反转分布，这是产生激光的必要条件。 当高能态粒子从高能态跃迁到低能态而产生辐射后，它通过受激原子时会感应出同相位同频率的辐射，这些辐射波沿由两平面构成的谐振腔来回传播时激发出更多的辐射，从而使辐射能量放大。 受激和经过放大的辐射通过部分透射的平面镜输出到腔外，产生激光。 激光具有空间的及时间的相干性 第十章-半导体光学性质和光电 半导体激光器的结构 原理与前面讨论过的发光二极管没有太多差异，P-N结就是激活介质。 下图为砷化镓同质结二极管激光器的结构，两个与结平面垂直的晶体解理面构成了谐振腔。当P-n结正向注入电流时且超过某一阈值时，即可激发激光。 第十章-半导体光学性质和光电