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其他杂质的扩散： （1）As扩散：因As在Si中扩散系数D小，可实现浅结扩散。 （2）Al扩散：用在高反压管的制作工艺中，因它在Si中扩散系数大，可进行深结扩散。 （3 Sb扩散：用作npn管集电区下扩散一层n+层，即隐埋层。 （4）Au扩散：作为复合中心，可降低少数载流子的寿命，改善数字电路的开关速度。 光刻幻灯片 8 光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术，目的是在SiO2薄膜或金属薄膜上刻蚀出与掩膜板完全对应的几何图形，以实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。 光刻质量好坏直接影响半导体器件的性能和成品率。研究重点是如何提高光刻胶的分辨率和光刻精度。 光刻流程一般为： 涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等步骤。 （1）涂胶：要求胶膜均匀，达到预定的厚度，与氧化硅薄膜或金属薄膜粘附良好，无灰尘、杂物等。 净化工作台，T 20~25℃， 湿度 ＜ 40% 黄光或红光照明下，常用的是旋转法 硅片表面保持干燥：通干氧或在 200 ℃烘箱中烘 30min （2）前烘：放进烘箱进行加热处理，促使溶剂挥发。60~100℃，10-15min （3）曝光：覆盖掩膜版，将掩模版图形与硅片图形对准套合，进行曝光，（ UV 、 X射线、 电子束） 保证曝光质量的条件：a.图形必须严格套准；b. 胶膜表面与模版必须紧贴；c. 曝光时间必须准确控制。 （4）显影：将硅片放入显影液中，使未感光部分的光刻胶溶掉，留下感光部分，显现出图形。注意显影时间的控制。 （5）坚膜（后烘）：以适当温度烘焙硅片，去除显影液和水分，使胶膜坚固。 140~200℃，20-30min （6）腐蚀氧化层 （以上步骤可以反复直道得到理想的结构图例） （7）去胶: 湿法去胶、等离子体去胶、通氧去胶 光刻胶 光刻胶一般由感光剂、增感剂、和溶剂组成。光刻胶分为负性胶和正性胶二类。 1. 负性胶 这种胶在曝光前对某些有机溶剂（丙酮、丁酮、环己酮）是可溶性的，曝光后发生光聚合反应，不溶于有机溶剂。光刻图形与光刻胶掩模版遮光图案完全相反。 它主要有聚肉桂酸酯类（KPR），聚酯类和聚烃类等。 一般KPR胶的配方： 聚乙烯醇肉桂酸酯（感光剂） 5~10% 5-硝基苊（增感剂） 0.25~1.0% 环己酮（溶剂） 90~95% 感光官能团为肉桂酰，在紫外光照射下发生聚合反应，从线状结构变为网状结构。 显影液：丁酮 CH3COCH2CH3，溶解未感光部分光刻胶，不能溶解感光部分。 聚乙烯醇肉桂酸酯感光原理 5—硝基苊 一种黄色结晶体，熔点103 ℃ ．其结构为 2. 正性胶 在曝光前对某些溶剂不可溶，曝光后可溶，得到与掩模版图案相同的图形。 主要组成： 邻-叠氮萘醌型化合物（感光剂） 苯骈三氮唑（增感剂） 乙二醇单一醚或乙酸乙酯或环己酮（溶剂） 间-甲酚醛树脂（提高胶的抗蚀性和粘附性） 显影液为1.5~3% Na3PO4水溶液。正性胶抗碱性较差，故显影时间不能太长；耐酸性好，用酸性腐蚀液腐蚀。 邻叠氮萘醌型化合物 含有邻叠氮萘醌基团的化合物 几种进口胶的结构式（美国） 201正性光刻胶（国产）曝光原理 多晶硅制备方法 化合物沸点 化合物还原或分解反应 方法特点比较 备注 SiCl4氢还原法 SiCl4 57.6℃ SiCl4+H2 1.SiCl4易提纯，产品质量较高 2.SiCl4不燃烧，不爆炸，生产过程稳定，安全 3.沉积速度慢，产率低，H2耗量大。 外延生长多晶或单晶广泛应用 SiHCl3氢还原法 SiHCl3 31.5℃ SiHCl3+H2 1.SiHCl3易提纯，产品质量高 2.沉积速度快，产量高，H2耗量小 3.SiHCl3易着火，爆炸，但比SiH4安全。 生产多晶硅材料应用最广 SiH4热分解法 SiH4 -112℃ SiH4 1.SiH4易提纯，不用还原剂，杂质沾污少，产品质量高 2.操作简便，反应易控制，对设备无腐蚀，反应温度低，分解效率高，成本低 3.SiH4有毒，易燃，易爆，设备要求密封，冷冻，防火，防爆等安全装置 最有发展前途 Si+4HCl 1100-1180℃ Si+3HCl 1100℃ S