2021年硬科技联盟研究报告之第三代半导体SiC最新.pdfVIP

硬科技复兴联盟研究报告 之 第三代半导体 SiC 创道硬科技研究院 2020 年12 月 硬科技复兴联盟研究报告之第三代半导体SiC 目 录 第一章 专业术语3 第二章 入围硬科技复兴联盟榜5 第三章 SiC 产业全景图 6 第四章 SiC 产业概述 7 一、 产业技术综述7 二、 产业发展逻辑——新能源汽车5G 射频 15 三、 2020 产业大事件 17 第五章 产业KnowHow 19 一、 半导体材料指标参数意义19 二、 SiC 的分类和用途 19 三、 SiC 衬底晶片主流尺寸 20 四、 SiC 衬底晶片外延片价格 20 五、 SiC MOS 和Si IGBT 21 六、 SiC 衬底晶片的难度 21 七、 良率问题22 第六章 产业链构成23 第七章 市场空间25 第八章 产业竞争格局27 第九章 硬科技复兴者联盟之第三代半导体SiC 29 第十章 投资策略投资机会32 一、 SiC 产业处于早期，爆发的前夜 32 二、 进军SiC 路径不同，投资价值不同32 三、 上游衬底是关注重点33 关于“创道硬科技研究院” 34 1 创道硬科技研究院 硬科技复兴联盟研究报告之第三代半导体SiC 前言 目前SiC 这种宽禁带半导体材料已经显露出良好的前景，SiC 衬底上适合生 长多种外延。其中 SiC 上长 SiC 外延适合做功率器件，SiC 功率器件比传统的 Si 功率器件有着更好的性能，更高的功率密度，在新能源汽车，光伏逆变器，高 铁动力单元上有这广泛的应用；SiC 还和GaN 有着非常好的晶格适配性，两者 适配度超过95%，是GaN 外延片的最佳搭档，GaN 未来在特色光电，5G 毫米 波射频PA，以及航天军工领域也有巨大的需求，因此SiC 能满足当下两种最具 价值——SiC 外延片和GaN 外延片的对衬底材料需求，具有“一材两用”的特 性，因此业内广泛流传“得SiC 者得天下”这样的说法。 ——品利基金经理陈启 第一、第二、第三代半导体之间，不是简单地升级换代的关系，更不是替代 的关系。第一代半导体材料硅（Si ）、锗（Ge ），第二代半导体材料砷化镓（GaAs ）、 磷化铟（InP），第三代半导体材料碳化硅（SiC ）、氮化镓 （GaN），各有各的 擅长之处，所谓的代数编码，更体现在应用场景的不同，行业足够大、需求足够 多样，每一种材料都会找到适合的需求空间。 ——创道硬科技研究院小编 “R 叔谈科创” 半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导，导与不导， 还是微微导？导电性的强弱并非是体现半导体材料价值的主要属性，半导体材料 的导电和绝缘属性之间的切换，才是构成半导体产业的核心，是计算世界里0 和 1，电力电子领域的开关和导通的基础。 ——模拟电路尹教授 2 创道硬科技研究院 硬科技复兴联盟研究报告之第三代半导体SiC 第一章 专业术语 术语