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外延工艺简介;什么叫外延生长？ 硅外延的基本原理 外延设备及所用的气体 在外延中应注意的问题 外延层中的晶体缺陷 外延的质量表征因子 外延层测试设备 目前国内外延的动态 从事外延工作人员应具备的基本素质：敬业精神、一丝不苟的工作态度、质量意识和安全意识。;什么叫外延？;硅外延的基本原理:; 氯硅烷还原法的特点在于它是一个吸热过程,该反应需要在高温 下才能发生。这些反应是可逆的，其可逆的程度随氯硅烷中氯(Cl) 的含量的增加而增加。同时，氯的含量决定了外延生长温度范围。 外延生长温度随硅源中氯（Cl)含量的增加而增加。 同时我们应知道，硅片表面是硅单晶体的一个断面，有一层或 多层原子的键被打开，这些不饱和键处于不稳定状态，极易吸附 周围环境中的原子和分子，此现象称为“吸附”。吸附在硅片表 面的杂质粒子在其平衡位置附近不停地做热运动，有的杂质离子 获得了较大的动能，脱离硅片表面，重新回到周围环境中，此现 象称为“解吸”。而同时介质中的另一些粒子又被重新吸附，即硅 片表面层吸附的杂质粒子处于动平衡状态。 对硅片而言 吸附放热 ,解吸吸热。 按照被吸附的物质的存在状态，吸附在硅片表面的杂质可分为： 分子型，离子型和原子型三种。;外延生长掺杂原理;; 　　另外，衬底的取向能够影响杂质的掺入数量。掺杂剂的掺入行为还受生长速率的影响，以砷(As)为例，一般生长速率快，掺入行为降低。而磷(P)掺杂浓度变化在不同生长速率下是不同的，在1016/cm3浓度，生长速率0.1um/min,生长温度1100~1200℃有上升趋势．（见图２） 　　生长速率也影响杂质的再分布，图形 漂移和图形畸变。生长速率0.1um/min 增加0.5um/min时，杂质自掺杂减少。杂 质外扩散也随生长速率的增加而减少。反 之，图形漂移则随生长速率的增加而增加。 混合气流的流速也影响外延层的均匀性， 低流速可以产生较差的均匀性。; 在P型外延生长中,我们应该认识重掺硼(B)有其特点。硼(B)原子质量很小，值为10.81，而磷(P)为30.9、砷(As)为74，锑(Sb)为121。 因为硼(B)很轻，半径小，因自由程大在流动气体??相对扩散距离大(相对于P、As、Sb)。而它更容易到达反应器壁、石墨基座、石英件等表面，而被大量吸附，成为外延生长的掺杂源。而P、As、Sb运动距离小，易被气流带出反应室外，所以重掺硼(B)P型衬底自掺杂效应严重难控制。;外延设备及所用的气体：;硅外延生长装置的方框图：;Company Confidential;Company Confidential;Company Confidential;各种硅外延炉比较;在外延中应注意的问题：;Company Confidential;Company Confidential;外延生长中的自掺杂;自掺杂的起因： 1、外扩散：杂质原子从高杂质浓度衬底向低杂质浓度的外延层进行固相扩散（所谓固-固扩散）； 2、杂质的再淀积：由衬底的表面边沿、背面或内部（埋层）热蒸发出来的杂质在外延生长时再度进入外延层； 3、来自反应室、基座的污染；（要求反应室的洁净和基座的硅包缚） 4、卤素的腐蚀作用：用卤化物作源时以及HCl腐蚀剂，由于卤元素的腐蚀作用，使衬底中气化的杂质原子在外延时进入生长层。 自掺杂的抑制方法： 1、背封法 2、低温生长 3、两步生长法等 ;Company Confidential;Company Confidential;Company Confidential;Company Confidential;图形漂移、畸变;　　如果当两条平行台阶沿相反的方向位移时，则外形尺寸将改变，这叫做图形畸变． 　　外延生长过程中有时还会发生一个或全部边缘台阶消失的问题，这种现象叫图形消失． 　　图形漂移、图形畸变和图形消失强烈地取决于衬底的晶向和生长参数。这些生长参数包括生长压力、温度、硅源气体和生长速率。 　衬底和生长参数的影响： 　１、图形漂移和畸变在(111)硅片中比(100)硅片严重。 　　　(111)硅片中图形漂移通常发生在相对(111)轴向偏离小于 　　　3-5。的情况下； 　　　在(100)硅片中图形漂移很小，但如果衬底稍微偏移(100) 　　　面，则可以导致显著的漂移，特别是在低温和低生长速率 　　　情况下更是如此。;２、在高温生长可以减少图形漂移和小平面，对于0.1Mpa压强下生长，降低生长温度会造成众多小平面和外形尺寸不对称．大幅度降低淀积温度(降到1150℃仅用SiCl4)可以使图形消失； ３、用低压生长工艺，小平面可以减少，然而这是利用增加图形尺寸而达到的一个折衷的方法。 ４、在0.1Mpa压强下，用低