北大半导体器件物理课件第四章4亚阈值特性.pdfVIP

半导体器件物理 MOSFET （三） 半导体器件物理 饱和电压 V V −V DSat GS T 线性区 I Z μC ⎡(V =−V )V −1V 2 ⎤ D L n OX ⎣ Gs T DS 2 DS ⎦ 饱和区 Z 2 I μ C (V =−V ) DSat n OX GS T 2L 半导体器件物理 亚阈值特性 • 理想特性： – V ≤V 时，I =0 GS T D • 实际情况： – 仍有微小电流存 在，称为亚阈值电 流IDsub 半导体器件物理 亚阈值特性 • 下图为 ψ V 2 ψ 时的能带图 F S F • 此时半导体表面弱反型，相当于低掺杂的n型区。 半导体器件物理 亚阈值特性 (a) nMOSFET结构 (c) 表面弱反型 (b) 表面积累 (d) 表面反型 半导体器件物理 亚阈值特性 • 萨方程不适用于亚阈值区的原因： – 强反型近似中的关于耗尽层的假定不适用该假定认 为：V ≤V 时，Q =0 。而实际上，在亚阈值区表 GS T n 面反型层已经出现，表面沟道已经形成。只是在强 反型时，由于|Q |数值很大，计算|Q |时可忽略 n n V =V 时已经出现了的表面电子电荷。 GS T – 只考虑了漂移电流，未考虑扩散电流在亚阈值区， 扩散电流漂移电流。亚阈值区导电与BJT中基区 的电流传输有些相似。 半导体器件物理 亚阈值特性 公式推导： 输运方程（扩散电流漂移电流）： 沟道总电流： 积分得到： 求Q 的表达式 n 利用能带图，得到 利用Possion方程求解Qn 半导体器件物理 亚阈值特性 • 求出上述两项，就可以推导出亚阈值电流的表达 式：