北大半导体器件物理课件第四章5MOSFET的小尺寸效应.pdfVIP

半导体器件物理 MOSFET （三） MOSFET的小尺寸效应 半导体器件物理 推导萨方程的基本假定 • 推导萨方程的前提：十个基本假定 1. 衬底均匀掺杂 2. 长、宽沟器件（可以不考虑边缘效应） 3. 反型层内载流子迁移率等于常数不考虑强场迁移率调制效 应。实际上，由于各点电场不一样，迁移率并不等于常 数。 4. SiO 层电荷面密度Q 等于常数 2 OX 5. 忽略源、漏区体电阻及电极接触电阻上的电压降 6. 忽略源、漏PN结及场感应结的反偏漏电流 7. 强反型近似成立（即三个远大于，三个不变） 8. 沟道导通时漂移电流远大于扩散电流 半导体器件物理 沟道长度调制效应 MOSFET工作于饱和区时，随着VDS 的增加，将导 致：漏端空间电荷区宽度展宽，夹断点向源端移 动 半导体器件物理 沟道长度调制效应 • 将未夹断区看作一个有效沟道长度为Ｌ，工作在 临界饱和态的MOSFET • 未夹断区上的压降是VDsat ( =VGS−VT )，那么饱和 区漏极电流 • 由于漏极电流∝1/L ，所以饱和区漏极电流随VDS 的增加而增加。这种现象称为 沟道长度调制效应 Channel Length Modulation （CLM ） 半导体器件物理 考虑沟道长度调制效应： 漏极电流不饱和，输出电阻为有限值 半导体器件物理 沟道长度调制效应 • 由于夹断区的电场分布是二维的，精确计算沟道长 度调制效应需要进行二维求解。 • 一级近似模型可以用简单的经验表达式来描述沟道 长度调制效应。电路模拟软件SPICE中用经验系数 λ来描述沟道长度调制效应 • 沟道长度调制系数 λ反映了VDS对IDS 的影响程度 • λ的典型值在0.05~0.001V−1之间 半导体器件物理 边缘效应 • 短沟效应 • 窄沟效应 半导体器件物理 短沟效应 • 电荷共享 • DIBL效应 • 源漏穿通 半导体器件物理 短沟效应 1.电荷共享 随着沟道长度的缩短，源漏耗尽区的影响加大。当 沟道长度与源漏耗尽区宽度相比拟时 • 栅极上正电荷发出的场强线将终止于反型层内的 电子或者表面耗尽区的电离受主。 • 源区或漏区的电力施主发出的场强线终止于源漏 耗尽区的电离受主。 • 交界区：可以认为电流受主电荷一部分属于表面 耗尽区，一部分属于源漏耗尽区 这种效应称为电荷共享（或电荷分享） 半导体器件物理 短沟效应 1.电荷共享 • 电荷共享示意图 半导体器件物理 短沟效应 1.电荷共享 电荷共享导致阈 值电压下降 阈值电压下降的大小为 半导体器