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第二单元习题解答 1. SiO 膜网络结构特点是什么？氧和杂质在 SiO 网络结构中的作用和用途是什 2 2 么？对 SiO2 膜性能有哪些影响？ 二氧化硅的基本结构单元为 Si-O 四面体网络状结构，四面体中心为硅原子，四个顶角 上为氧原子。对 SiO2 网络在结构上具备“长程无序、短程有序”的一类固态无定形体或玻 璃体。半导体工艺中形成和利用的都是这种无定形的玻璃态 SiO 2 。 氧在 SiO 2 网络中起桥联氧原子或非桥联氧原子作用，桥联氧原子的数目越多，网络结 合越紧密，反之则越疏松。在连接两个 Si-O 四面体之间的氧原子 掺入 SiO2 中的杂质，按它们在 SiO 2 网络中所处的位置来说，基本上可以有两类：替代 （位）式杂质或间隙式杂质。取代 Si-O 四面体中 Si 原子位置的杂质为替代（位）式杂质。 这类杂质主要是Ⅲ A ，Ⅴ A 元素，如 B 、P 等，这类杂质的特点是离子半径与 Si 原子的半径 相接近或更小，在网络结构中能替代或占据 Si 原子位置，亦称为网络形成杂质。 由于它们的价电子数往往和硅不同， 所以当其取代硅原子位置后， 会使网络的结构和性 质发生变化。如杂质磷进入二氧化硅构成的薄膜称为磷硅玻璃，记为 PSG；杂质硼进入二 氧化硅构成的薄膜称为硼硅玻璃，记为 BSG 。当它们替代硅原子的位置后，其配位数将发 生改变。 具有较大离子半径的杂质进入 SiO 2 网络只能占据网络中间隙孔（洞）位置，成为网络 变形（改变）杂质，如 Na、 K 、Ca 、Ba、Pb 等碱金属、碱土金属原子多是这类杂质。当网 络改变杂质的氧化物进入 SiO 2 后，将被电离并把氧离子交给网络，使网络产生更多的非桥 联氧离子来代替原来的桥联氧离子， 引起非桥联氧离子浓度增大而形成更多的孔洞， 降低网 络结构强度，降低熔点，以及引起其它性能变化。 2. 在 SiO2 系统中存在哪几种电荷？他们对器件性能有些什么影响？工艺上如何 降低他们的密度？ 在二氧化硅层中存在着与制备工艺有关的正电荷。在 SiO2 内和 SiO2-Si 界面上有四种类 型的电荷：可动离子电荷： Q ；氧化层固定电荷： Q ；界面陷阱电荷： Q m f it ；氧化层陷阱电 荷： QOt 。这些正电荷将引起硅 /二氧化硅界面 p-硅的反型层，以及 MOS 器件阈值电压不稳 定等现象，应尽量避免。 + + + （1）可动离子电荷（ Mobile ionic charge ）Q m 主要是 Na 、K 、H 等荷正电的碱金属 离子，这些离子在二氧化硅中都是网络修正杂质， 为快扩散杂质， 电荷密度在 1010 12 2 。 ~10 /cm + + + 其中主要是 Na ，因为在人体与环境中大量存在 Na ，热氧化时容易发生 Na 沾污。 Na+离子沾污往往是在 SiO 2 层中造成正电