GaN外延生长流程.pptxVIP

Epi process flow(recipe) introduction;衬底材料的选择;[5]导电性好，能制成上下结构； [6]光学性能好，制作的器件所发出的光被衬底吸收小； [7]机械性能好，器件容易加工，包括减薄、抛光和切割等； [8]价格低廉； [9]大尺寸，一般要求直径不小于2英吋。 ;用于氮化镓生长的衬底材料性能优劣比较 ;GaN类蓝光二极管结构的发展;同质结构;异质结构;双异质结构（DH）;单量子阱结构（SQW）;多量子阱结构（MQW）;;阱中电子—空穴复合放出光子能量的计算;量子阱的优点;单量子阱与多量子阱;什么因素影响InGaN/GaN的MQW结构发光效率和光的波长？;极化效应下的能带;具体原因;不同阱宽和垒宽;阱宽和垒厚影响原因;不同温度不同In组分;In组分减小影响;总结：;GaN外延生长流程; GaN外延生长流程; GaN外延生长流程; GaN外延生长流程; GaN外延生长流程; GaN外延生长流程;㈥ 长多量子阱MQW 炉温降至750℃,先长一层InGaN(2nm),接着把温度升高到1160 ℃，长一层GaN (14nm),连续长8个InGaN和 GaN势阱势垒pair(16nm)，整个MQW厚度120nm.调整掺In的浓度可调整波长，用时约80min. ; GaN外延生长流程; GaN外延生长流程;藍寶石基板;外延生长的原辅材料;MOCVD法生长GaN的主要技术要求;MOCVD法生长GaN存在的问题; 光致发光分析（P L） 光谱分析 峰值波长 波长均匀性 半高宽（FWHM） X-射线分析（XRD） 晶格质量(002 102) 组分分析(Indium Composition) 周期计算(Thickness of one pair) 电致发光量测（EL） 电致发光分析参数：亮度(mcd) 正向偏压(Vf) 波长(nm) 半峰宽 反向电流 波长漂移 反向电压 抗ESD能力… ;PL： Photoluminescence;原理;原理;二、 PL系统;;X-射线分析（X-Ray）X-射线衍射（XRD）基本原理;X-射线衍射（XRD）基本原理;布拉格公式的示意图;衍射几何-布拉格公式;XRD 分析;9、有时候读书是一种巧妙地避开思考的方法。7月-217月-21Friday, July 23, 2021 10、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。01:19:5101:19:5101:197/23/2021 1:19:51 AM 11、越是没有本领的就越加自命不凡。7月-2101:19:5101:19Jul-2123-Jul-21 12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。01:19:5101:19:5101:19Friday, July 23, 2021 13、知人者智，自知者明。胜人者有力，自胜者强。7月-217月-2101:19:5101:19:51July 23, 2021 14、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。23 七月 20211:19:51 上午01:19:517月-21 15、最具挑战性的挑战莫过于提升自我。。七月 211:19 上午7月-2101:19July 23, 2021 16、业余生活要有意义，不要越轨。2021/7/23 1:19:5101:19:5123 July 2021 17、一个人即使已登上顶峰，也仍要自强不息。1:19:51 上午1:19 上午01:19:517月-21