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碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化
推荐单位：中国科学院物理研究所 合作单位：北京天科合达半导体股份有限公司 成果简介 碳化硅（Si C）晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料，在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。但其晶体生长极其困难，只有少数发达国家掌握Si C晶体生长和加工技术。Si C晶体国产化，对避免我国宽禁带半导体产业被“卡脖子”至关重要。团队自1999年以来，立足自主研发，从基础研究到应用研究，突破了生长设备到高质量Si C晶体生长和加工等关键技术，形成了具有自主知识产权的完整技术路线，实现了Si C晶体国产化、产业化，产生了良好的经济和社会效益，推动了我国宽禁带半导体产业的发展。 社会效益和经济效益 形成了完整的自主知识产权，获授权发明专利27项（含6项国外专利），主持制定国家标准3项。成立了国内首家Si C晶体公司——北京天科合达半导体股份有限公司，2019年新增销售收入1.55亿元，新增利润2 596万元。北京天科合达半导体股份有限公司已发展成为国际知名Si C单晶衬底生产商之一，引领和推动了我国宽禁带半导体行业研究和产业链的发展。 完成单位：中国科学院物理研究所 团队成员
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