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四探针法测量电阻率 四探针法测量电阻率 PAGE / NUMPAGES 四探针法测量电阻率 实验二 四探针法测量电阻率 一、序言 电阻率是反响半导体资料导电性能的重要参数之一 . 诚然测量电阻率的方法很多, 但由于四探针法设备简单、操作方便、精确度高、测量范围广，而且对样品形状无严 格要求，不但能测量大块资料的电阻率，也能测量异形层、扩散层、离子注入层及外 延层的电阻率，因此在科学研究及本质生产中获取广泛利用。 本实验是用四探针法测量硅单晶资料的电阻率及 pn 结扩散层的方块电阻。经过 实验，掌握四探针法测量电阻率的基根源理和方法以及对拥有各种几何形状样品的修 正，并认识影响测量结果的各种因素。 二、原理 1、 四探针法测量单晶资料的电阻率 最常用的四探针法是将四根金属探针的针尖排在同素来线上的直线型四探针法，如 图 2.1 所示。当四根探针同时压在一块相对于探针间距可视为半无量大的半导体平坦表面上时，若是探针接触处的资料是平均的，并可忽略电流在探针处的少子注入，则当电流 I 由探针流入样品时，可视为点电流源，在半无量大的平均样品中所产生的电力线具 有球面对称性，即等势面为一系列以点电流源为中心的半球面。样品中距离点电源 r 处 的电流密度 j ，电场ε和电位 V 分别为 j I (1) 2 r 2 j I (2) 2 r 2 V I (3) 2 r 其中，σ和ρ分别是样品