P-N结半导体器件物理性质分析.ppt

P-N结半导体器件物理性质分析 P-N结半导体器件物理性质分析 隧道电流 小结 产生隧道电流的条件： （1）费米能级位于导带或价带的内部； （2）空间电荷层的宽度很窄，因而有高的隧道穿透几率； （3）在相同的能量水平上在一侧的能带中有电子而在另一侧的能带中有空的 状态。 当结的两边均为重掺杂，从而成为简并半导体时，（1）、（2）条件满足。外加偏压可使条件（3）满足。 画出了偏压变化的能带图并根据能带图解释了隧道二级管的I－V曲线。 P-N结半导体器件物理性质分析 隧道电流 小结 分析了隧道二级管的特点和局限性： （1）隧道二极管是利用多子的隧道效应工作的。由于单位时间内通过结的多数 载流子的数目起伏较小，因此隧道二极管具有较低的噪声。 （2）隧道结是用重掺杂的简并半导体制成，所以温度对多子的影响小，使隧 二级管的工作温度范围大。 （3）由于隧道效应的本质是量子跃迁过程，电子穿越势垒极其迅速，不受电子 渡越时间的限制，因此可以在极高频率下工作。这种优越的性能，使隧道 二级管能够应用于振荡器，双稳态触发器和单稳多谐振荡器，高速逻辑电 路以及低噪声微波放大器。 由于应用两端有源器件的困难以及难以把它们制成集成电路的形式，隧道二 极管的利用受到限制。 P-N结半导体器件物理性质分析 2.6 I-V特性的温度依赖关系 P-N结半导体器件物理性质分析 2.6 I-V特性的温度依赖关系 当P-N结处于正向偏置时 （2-4-7）式中 随温度的增加而迅速增加，可见在高于室温时，不太大的正偏压（?）就使 占优势。 有 （2-3-16） （2-3-18） （2-4-5） （2-4-7） P-N结半导体器件物理性质分析 2.6 I-V特性的温度依赖关系 当P-N结处于反向偏置时， ， （2-6-2） 随着温度增加， 增大，也是扩散电流占优势。 偏压情况下，二极管 特性的温度效应： 相对来说，括号内的参量对温度变化不灵敏。 （2-6-3） P-N结半导体器件物理性质分析 2.6 I-V特性的温度依赖关系 式（2-6-3）对T求导，所得的结果除以 ，得到 （2-6-4） 在正向偏置情况下，取 ，导出 （2-6-5） （2-6-6） 将（2-6-4）式代入（2-6-5）和（2-6-6）式中，得到 和 （2-6-7） （2-6-8） P-N结半导体器件物理性质分析 在正向偏置情况下取 又 代入上式得 类似地得到 P-N结半导体器件物理性质分析 2.6 I-V特性的温度依赖关系 硅二极管正向和反向两种偏压下的温度依赖关系示于图2-15和图2-16中 图2-15硅平面二极管电流—电 压特性的温度效应 图2-16在硅P—N结二极管中反 向饱和电流与温度的关系 P-N结半导体器件物理性质分析 2.6 I-V特性的温度依赖关系 小结 讨论了PN结I－V特性的温度依赖关系即温度对I－V特性的影响 根据公式反向电流随温度升高而增加。 给定电压，电流随温度升高而迅速增加。对于硅二极管，在室温（300K）时，每增加 ，电流约增加1倍。 结电压随温度线性地减小，对于硅二极管，系数约为 。 结电压随温度变化十分灵敏，这一特性被用来精确测温和控温。 P-N结半导体器件物理性质分析 2.7 耗尽层电容，求杂质分布和变容二极管 P-N结半导体器件物理性质分析 2.7 耗尽层电容，求杂质分布和变容二极管 耗尽层电容 （2-7-1） （2-7-2） （2-7-3） C称为过渡电容或耗尽层电容有时亦称为势垒电容： PN结空间电荷区空间电荷随外加偏压变化所引起的电容。 常用 － 关系： （2-7-7） P-N结半导体器件物理性质分析 2.7 耗尽层电容，求杂质分布和变容二极管 1、根据该图中的直线斜率可以计算出施主浓度。 2、使直线外推至电压轴可求出自建电压。在截距处 图 2 - 17 N P - + 二极管的电容 - 电压 （ C - V ） 特性 2 1 C 0 y R V 图 2