汽车电工与电子技术第六章常用半导体器件及其应用课后答案56.docVIP

项目5 一、填空 1.硅 锗 2.空穴 电子 本证半导体 P 空穴 N 电子 PN 3.截止 放大 饱和 线性放大区 截止区 饱和区 4.PN 单向导电性 反向击穿 稳压二极管 5. 输入回来的电场 电压 结型场效应管 绝缘栅场效应管 6. 5 3 交流 直流 小 大 交流 饱和 13.5 0.125 幅频特性 相频特性 判断 错 错 错 对 对 对 错 错 对 对 选择题 B C A A B C C A B D 计算题 1.当IZMIN=5mA 时 电阻两端电压U=15-6=9V，故电阻R=U/I=1800欧姆 当处于最大功率时，通过的电流I=P/U=25mA,故电阻 R=U/I=360欧姆 所以电阻的取值范围是360~1800欧姆 2 （1）当10,15V两种情况下 电阻RL分压分别为3.3和5V，故稳压二极管没有被击穿，二极管相当于不同二极管。输出电压分别为3.3V和5V。当电源电压为35V时，稳压二极管被反向击穿，将负载两端的电压钳住在6V，故电阻两端电压为6V （2）负载开路，故整个电路的电流I=(35-6)/1000=0.029A=29mA 这是电流大于稳压二极管的最大电流 故稳压二极管将会被烧坏 3 UOI的图形 UO2 (1) RB=50K欧姆时，IB=U/R=(2-0.7)/50000=0.026mA 故IC=βXIB=100X0.026=2.6mA Uo=VCC-UC=15-0.0026X5000=2v (2)当临界饱和则UCE=0.3V，故IC=(VCC-UCE)/RC=(15-0.3)/5000=2.94mA 所以IB=IC/β=0.0294mA 又IB=U/R=(2-0.7)/RB 故RB=44K欧姆 5 (a)为反相运算放大器 UO/UI=-RF/R =10 (B)为同相运算放大器 UO/UI=1+RF/R =11 简答题 PN结单向导通性 二极管在汽车可以用在整流、稳压、显示和报警电路 三极管有三种工作状态： 截止状态：发射结和集电结反偏 放大状态：发射结正偏、集电结反偏 饱和状态：发射结和集电结正偏 三极管在汽车做放大和开关作用 N沟道增强型绝缘栅场效应管：用一块杂质浓度较低的P型薄硅片作为衬底，其上扩散两个相距很近的高掺杂N+型区，并在硅片表面生成一层薄薄的二氧化硅绝缘层，在其上引出三个电极：栅极G、源极S、漏极D。其中栅极和其它极及硅片之间是绝缘的，所以称为绝缘栅场效应管，或称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 图5-82 N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管的结构以及表示符号从图5-82可以看出N+漏区和N+源区之间被P型衬底隔开，漏极与源极之间是两个背靠背的PN结，故当栅极-源极电压时，总有一个PN 图5-82 N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管的结构以及表示符号 如果在栅极与源极之间加正向电压时，如图5-83所示，在的作用下，产生一个垂直衬底的电场，这个电场将栅极下方的空穴（带正电）向下排斥，形成耗尽层，如果进一步加大，P衬底的电子受到电场力的吸引到达下表面，形成一个N型导电沟道。越大，导电沟道越宽，这时在漏极与源极加一个电压，将产生漏极电流，管子导通。 项目六 填空 全1出0，有0出1 时间 数值 1 0 低 1 组合逻辑电路 时序逻辑电路 数码 移位 与 或 非 8 9 22.75 10 截止 饱和 判断 错 错 对 对 对 对 错 错 错 错 选择 C B 3CD 4AB A D B C D（11001） C 计算 1 列真值表 故障为0 正常为1 灯亮为1 灯灭为0 A B F1 F2 F3 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 固有 F1=AB 2 真值表 A B C Y 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 逻辑功能:当输入相同时输出为1 ，不同时输出为0 3 4 如图