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特征及光度丈量实验 特征及光度丈量实验 PAGE / NUMPAGES 特征及光度丈量实验 LED 特征及光度丈量实验 （2008 新增部分） 中山大学光信息科学与技术实验室 发光二极管特征丈量实验 一、 实验目的和内容 1、认识发光二极管的发光机理、光学特征与电学特征，并掌握其测试方法。 2、设计简单的测试装置，并对发光二极管进行 V－I 特征曲线、 P－I 特征曲线的丈量。 二、实验基本内容 1、概括 年古人们已经认识半导体资料可产生光芒的基本知识，第一个商用二极 管产生于 1960 年。 LED是英文 light emitting diode （发光二极管）的缩写， 它属于固态光源， 其基本构造是一块电致发光的半导体资料， 置于一个有引线的架子上，而后周围用环氧树脂密封， 起到保护内部芯线的作用， 所以 LED的抗震性能好。 LED构造图以下边图 1 所示： 发光二极管的核心部分是由 P型半导体和 N型半导体构成的芯片。惯例的发光二极管芯片的构造如图二所示，主要分为衬底，外延层（图 2中的 N型氮化镓，铝镓铟磷有源区和 P型氮化镓），透明接触层， P型与 N 型电极、钝化层几部分。钝化层的作用是保护透明接触层。 N 型 电极 P 型 电极 图 2、惯例 InGaN / 蓝宝石 LED芯片剖面图 图3、InGaN LED芯片俯视图 在 p 型半导体和 n 型半导体之间存在一个过