晶体三极管及其基本放大电路解析.pptxVIP

晶体三极管及其基本放大电路解析第1页/共86页§4.1晶体三极管一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数第2页/共86页小功率管 一、晶体管的结构和符号大功率管中功率管发射结发射结集电结集电结第3页/共86页NPPNeNcePc--发射区发射区基区集电区集电极基区集电区集电极发射极发射极--基极基极bbBJT的结构NPN型PNP型符号:晶体管有三个极、三个区、两个PN结。第4页/共86页BE符号 再强化一下三极管的结构 分类和符号 NPN 型三极管集电极C集电区N集电结基极BP基区发射结N发射区发射极EC第5页/共86页 PNP型三极管集电极C集电区　CPN集电结基极B基区NNB发射结PE发射区符号　发射极E第6页/共86页 三极管的结构特点:（1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。（2）基区要制造得很薄且浓度很低。第7页/共86页二、晶体管的电流放大作用　以共射极放大电路为例题：BJT放大，要求JBE _____JBC_____第8页/共86页1.内部载流子运动(以NPN型为例) 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB。少数载流子的运动因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区基区空穴的扩散NOTE第9页/共86页2、电流分配： IE＝IB＋IC IE－发射区扩散运动形成的电流 IB－基区复合运动形成的电流 IC－集电区收集的电子形成电流共射直流电流放大系数交流电流放大系数穿透电流类似：共基电流放大系数α等集电结反向电流记住第10页/共86页三、晶体管的共射输入特性和输出特性1. 输入特性为什么像PN结的伏安特性？两PN结并接为什么UCE增大曲线右移？集电极电场加强，发射区入基区的电子越进集电区，基区参与复合的电子减少，同样大的ib需加大ube，使发射区注更多电子为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显？集电极电场足够强，电子几乎收集完 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。第11页/共86页2. 输出特性对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 uCE较小时iC随uCE变化很大,进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线饱和区放大区截止区第12页/共86页截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE＜0.7 V。 此时发射结正偏，集电结也正偏。饱和区放大区放大区—— 曲线基本平行等 距。 此时，发 射结正偏，集电 结反偏。 该区中有：截止区第13页/共86页晶体管的三个工作区域状态条件特点截止发射结反偏/小于开启电压、集电结反偏Uce=Vcc，ib=ic=0放大发射结正偏、集电结反偏 Uce=Vcc-ic*Rc饱和发射结正偏、集电结正偏/0偏Uces=0.3v、补练习 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。第14页/共86页四、温度对晶体管特性的影响题：受温度影响的三个参数为何？如何影响？第15页/共86页五、主要参数 直流参数：　共射直流电流放大系数共基直流电流放大系数极间反向电流集－基极反向饱和电流ICBO：　发射极开路，C、B极间加一反向电压时的反向电流。集－射极反向饱和电流ICEO（穿透电流）：　基极开路，C、E间加一反向电压时的反向电流，　又称穿透电流。ICEO＝ICBO（1＋β）　二者都是衡量BJT质量的重要参数。题：何为ICBO，为何与温度有关？第16页/共86页 交流参数：记住共射交流电流放大系数共基交流电流放大系数特征频率（截止频率）fT：使β＝1的信号频率 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO　集电极最大允许电流ICM： β下降到额定值的2/3时的集电极电流　集电极最大允许耗散功率PCM：集电结上允许损耗功率的最大值。PC＝ICUCE 通常取第17页/共86页反向击穿电压：三极管的各个电极所允许加的最大反向电压。　U（BR）CEO：集－射极反向击穿电压　U（BR）CBO：集－基极反向击穿电压　U（BR）EBO：射－基极反向击穿电压安全工作区第18页/共86页三极管的低频微变等效电路低频小信号模型记住rbb’题目若未给，用200；若给，用给值第19页/共86页三种连接组态共射极电路练习4.6第20页/共86页4.2放大电路的组成原则一、电路的组成及各元件的作用二、设置静态工作点的必要性三、波形分析四、放大电路的组成原则第21页/共86页动态信号作用