《氮化铝半导体简介》ppt课件模板.pptVIP

（适用于讲座，演讲，授课，培训等场景）; 氮化铝（AlN）半导体;1.前言;2.AlN半导体的结构与性质;AlN 的多种优异性能： 1.禁带宽度6.2eV, 并具有直接带隙,是重要的蓝光和紫外发光材料; 2.热导率高, 电阻率高, 击穿场强大, 介电系数小,是优异的高温、高频和大功率器件用电子材料; 3.沿c 轴取向的AlN 具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能, 是优异的声表面波器件用压电材料; 4.氮化铝晶体与氮化镓晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数,是外延生长氮化镓基光电器件的优选衬底材料.;AlN与其他??用半导体材料特性对照表;3.AlN单晶的生长;3.AlN单晶的生长;（2）High nitrogen pressure solution growth（高氮气压溶液生长法） 当压力大于500MPa时，Al与N2的高温燃烧反应速率减慢，这是因为N2在高压条件下具有较高的热导率和较大的热容，导致燃烧反应过程中的热量损失增加；当压力大于650MPa时，燃烧反应被完全终止；此外，高压条件下N2的密度较大，有利于减少Al的蒸发和扩散； 基于上述机理，Bockowski等利用HNPSG法成功制得白色针状AlN单晶，直径1mm，长度10mm；实验方案：将N原子溶解到液态Al中，温度1800-2000K, N2压力2GPa；当溶液具有较高的过饱和度时，将得到纤锌矿结构的AlN单晶，但是过高的过饱和度将导致过高的生长速度，易得到中空针状结构的AlN单晶。;（3）Hydride vapor phase epitaxy growth（氢化物气相外延生长法） 1.Akasaki等第一次提出利用HVPE法制备AlN单晶，主要化学反应方程式： AlCl3(g)+NH3(g)一AlN(g)+3HCl(g) 反应温度600-1100oC； 2.对上述方法进行改进：以NH3和HCl作反应活性气体，Ar作承载气体，首先气态HCl与金属Al反应生成AICl3，然后生成的AICl3再与NH3反应生成AlN,主要化学反应方程式： HCl(g)+Al(l)一AlCl(g) ， A1Cl(g)+NH3(g)一AlN(s)+HCl(g)+H2(g) 通过上述方法，分别在SiC衬底和蓝宝石衬底上制得厚度75mm和20mm的AlN晶片，直径2英寸； HVPE法的突出优点是其生长速度快，可达到100mm/h，大约是与金属有机气相沉积法和分子束气相外延法的100倍。;（4）Physical vapor transport growth（物理气相传输生长法） PVT法又被称为sublimation recondensation法，是生长AlN单晶最成功的方法；;3.AlN单晶的生长; AlN薄膜生长技术： 1.溅射法 以N2 为反应气体, 用Ar 稀释载入反应腔体, 以高纯Al 为溅射靶, 反应形成AlN 薄膜。工作气压、氮气浓度、溅射功率和衬底温度及种类等参数对薄膜的结晶取向和表面形貌影响很大。 2.PLD PLD(脉冲准分子激光沉积)法具有沉积温度低, 生长速率高以及保持薄膜与靶 成分一致等优点, 特别适合多组分化合物薄膜。PLD 制备AlN薄膜一般有两种方法:(1)直接剥离烧结AlN陶瓷靶, (2)在N2 或NH3 气氛下剥离纯Al 靶反应生成。;国内外研究进展（-2010年）： 美国：2002年启动“半导体紫外光源”研究计划；美国TDI公司是目前完全掌握HVPE (氢化物气相外延)法制备AlN基片技术，并实现产业化的唯一单位。TDI的AlN基片是在（0001）的SiC或蓝宝石衬底上淀积10-30微米的电绝缘AlN层，主要用作低缺陷电绝缘衬底，用于制作高功率的AlGaN基HEMT，目前已经有2,3,4,6英寸产品。 日本：2004年启动“高效率紫外发光半导体”研究计划，目前最好成果是直径为毫米级AlN单晶，还没有成熟的产品出现。 国内关于氮化铝晶体的研究刚起步，一些科研单位在AlN MOCVD（金属有机气相沉积）外延生长方面也有了初步的探索，但都没有明显的突破及成果。;PPT常用编辑图使用方法;;;商务 图标元素;;;;;;商务 图标元素;