10N65B-220-263-220C中文规格书广东奥科半导体.pdf免费

N-CHANNEL MOSFET 10N65B 10A 650V N沟道增强型场效应管 主要参数： ID 10A G.栅极D.漏极S.源极 VDSS 650V RDSON-typ(@VGS =10V) 0.7Ω 性能特点： 开关速度快 低导通电阻 低反向传输电容 低栅极电荷量  100%单脉冲雪崩能量测试 提升了dv/dt能力 机械性能： 注塑成型封装 适用任何位置安装 封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准 加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于10s 封装形式: TO-220C, TO-220F, TO-263 产品规格分类： 产品料号 封装形式 产品印字 包装方式 AK10N65B2 TO-220F(0.5mm) 10N65BF 50PCS每管 AK10N65B8 TO-220F(1.3mm) 10N65BF 50PCS每管 AK10N65B3 TO-263 10N65BS 50PCS每管 AK10N65B3-R TO-263 10N65BS 800PCS每盘 AK10N65B9 TO-220C 10N65BC 50PCS每管 1 / 6 Guang Dong akmosfet Co., LTD. N-CHANNEL MOSFET 10N65B 极限参数:(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围 参数名称 符号 单位 220C 220F 263 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流-持续（T =25°C ） 10 C ID A -持续（T =100°C ）