半导体光放大器的原理及应用分析.pdfVIP

-- 半导体光放大器的原理及应用分析 电子 081 20080030303 ８ 摘要 : 半导体光放大器的主要特点是它由有源区和无源区构成 , 其放大原理主要 取决于有源层的介质特性和激光腔的特性。半导体光放大器可用作线性放大器、 波长转换器、光开关和再生器等等。 关键词 : 半导体光放大器光纤通信波长转换器光开关 1 半导体光放大器的结构 半导体光放大器是一种把发光器件一一半导体激光器结构作为放大装置使 用的器件 , 因为具有能带结构 , 所以其增益带宽比采用光纤放大器的宽。另外 , 通过改变所使用的半导体材料的组成可以使波长使用范围超过１ 00 ｎｍ, 这是 半导体光放大器的一个突出特点。 半导体光放大器由有源区和无源区构成 , 如图 1所示， 有源区为增益区 , 使用 I ｎp这样的半导体材料制作 , 与半导体激光器的 主要不同之处是 SＯＡ带抗反射涂层 , 以防止放大器端面的反射， 排除共振器 功效。抗反射涂层就是在端面设置单层或多层介质层。 以平面波人射单层介质层 时, 抗反射膜的条件相对于厚度为 1/4 波长。实际的放大器， 传输光是数微米的 点光， 可以研究假想波导模严格的无反射条件。 去除端面反射影响的另一种方 法 , 也可以采用使端面倾斜的方法和窗结构。 把光放大器作为光通信中继放大器 使用 , 入射光的偏振方向是无规则的 , 最好是偏振波依赖性小的放大器。 为了消 除这种偏振波依赖性 , 可以引人运用窄条结构使激活波导光路近似正方形断面 形状的方法和施加抗张应力 , 以增大TM波增益的应变量子阱结构。 目前, 实现偏 振无关半导体光放大器的方法有很多种， 如张应变量子阱结构、 应变补偿结构、 同时采用张应变量子阱和压应变量子阱的混合应变量子阱结构等。图 2为采用脊 型波导结构的应变量子阱光放大器基本结构图。 有源区 4C3T采用混合应变量子阱 结构 , 即4个压应变量子阱 , 3 个张应变量子阱 , 压应变和张应变量子阱之间用 与 I ｐn晶格匹配的宽的 IaGaAsＰ垒层隔开上下波导层分别为波长 1.1 ５ｕm的 IaGaAsP匹配材料包层为ｐ型Ｉｎ p， 接触层为重 P型掺杂 I ａGaAｓP材料， 材 料的外延法生长过程中， n 型掺杂源为硅烷 ,p 型掺杂源为二甲基锌材料；生长 完成后， 采用标准的光刻、反应离子刻蚀、湿法腐蚀、蒸发、溅射等工艺制作 脊型波导结构。 -- -- ２ 半导体光放大器的原理 半导体光放大器的原理与掺稀土光纤放大器相似但也有不同 , 其放大特性主要 取决于有源层的介质特性和激光腔的特性。 它虽也是粒子数反转放大发光但发光 的媒介是非平衡载流子即电子空穴对而非稀有元素。 半导体的发光可根据激发方 式的不同分为光致发光、 电致发光和阴极发光等。