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MOS开关与传输门特性分析 第一页，编辑于星期五：十三点 三十五分。 MOS开关与传输门特性分析 第二页，编辑于星期五：十三点 三十五分。 单开关电路 输入信号 输出信号 第三页，编辑于星期五：十三点 三十五分。 MOS管的四种基本类型 G S D N 沟道耗尽型 G S D N沟道增强型 MOS（Mental–Oxide–Semiconductor） 金属 – 氧化物 – 半导体场效应管 第四页，编辑于星期五：十三点 三十五分。 G S D P 沟道增强型 G S D P 沟道耗尽型 在数字电路中，多采用增强型。 第五页，编辑于星期五：十三点 三十五分。 G S D N沟道增强型 源极 栅极 漏极 第六页，编辑于星期五：十三点 三十五分。 MOS管的结构和工作原理 第七页，编辑于星期五：十三点 三十五分。 vGS=0时 P N N G S D vGS vDS iD=0 D、S间相当于两个背靠背的PN结 不论D、S间有无电压，均无法导通，不能导电。 第八页，编辑于星期五：十三点 三十五分。 P N N G S D VDS VGS vGS0时 vGS足够大时（vGSVGS(th)），形成电场G—B,把衬底中的电子吸引到上表面，除复合外，剩余的电子在上表面形成了N型层（反型层）为D、S间的导通提供了通道。 VGS(th)称为阈值电压(开启电压） 源极与衬底接在一起 N沟道 可以通过改变vGS的大小来控制iD的大小。 第九页，编辑于星期五：十三点 三十五分。 MOS管的输入、输出特性 对于共源极接法的电路，栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离，所以栅极电流为零。 输出特性曲线 （漏极特性曲线） 第十页，编辑于星期五：十三点 三十五分。 夹断区（截止区） 用途：做无触点的、断开状态的电子开关。 条件：整个沟道都夹断， 源极和漏极之间没有导通 沟道。 特点： 第十一页，编辑于星期五：十三点 三十五分。 可变电阻区 特点:(1)当vGS 为定值时,iD 是 vDS 的线性函数，具有类似与线性电阻的性质，且其阻值受 vGS 控制。 （2）管压降vDS 很小。 用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。 条件：源端与漏端沟道都不夹断 第十二页，编辑于星期五：十三点 三十五分。 恒流区： (又称饱和区或放大区） 特点:(1)受控性： 输入电压vGS控制输出电流 (2)恒流性：输出电流iD 基本上不受输出电压vDS的影响。 条件:(1)源端沟道未夹断 (2)漏端沟道予夹断 用途:可做放大器和恒流源。 第十三页，编辑于星期五：十三点 三十五分。 MOS管开关等效电路 当vI=vGSVGS(th)时，MOS管工作在截止区。漏极和源极之间的内阻非常大，D-S间相当于断开的开关，vO≈vDD. 第十四页，编辑于星期五：十三点 三十五分。 当vIVGS(th)且vI继续升高时，MOS管工作在可变电阻区。MOS管导通内阻RON很小，D-S间相当于闭合的开关,vO≈0。 第十五页，编辑于星期五：十三点 三十五分。 传输门输出特性 传输门（TG）的应用非常广泛，不仅可以作为基本单元电路构成各种逻辑电路，用于信号传输，而且在取样—保持电路、斩波电路、模数和数模转换电路中传输模拟信号，因而又称为模拟开关。 第十六页，编辑于星期五：十三点 三十五分。