高电压工程:第6章 高电压的产生.pptVIP

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高电压工程基础 单级冲击电压发生器放电回路近似计算 首先C1充电, 然后合上开关, C1经R1向C2充电,形成波头 同时C1和C2经过电阻R2放电,形成波尾。 一般情况下,C1C2,所以波尾主要由C1放电的快慢决定 C2和R1--波头电容和波头电阻, C1和R2--波尾电容和波尾电阻。 高效回路 高电压工程基础 单级冲击电压发生器放电回路近似计算 * 波头时间 高电压工程基础 * 高电压工程基础 波尾时间 高电压工程基础 对于(b) 低效回路 对于(a) 效率介于(a)和(c)之间 对于(c) 高效回路 (c) 定义放电回路的电压利用系数η为: 高电压工程基础 低效回路!! R1=Rd+Rf R2=Rd+Rt (1)波前时间的确定 高电压工程基础 6.3.2 放电回路的近似计算 (2)半峰值时间的确定 (3)冲击电压发生器的效率 高电压工程基础 图6-19的高效回路 等值电路 高电压工程基础 高电压工程基础 [冲击电压发生器放电回路计算举例] -1 例:设置一台冲击电压发生器,要求它能满足进行110kV瓷绝缘子的雷电冲击放电及耐压试验的条件。请选择它的标称电压 Un ,冲击电容量 C1 ;初步确定负荷电容C2;计算波前电阻Rf,放电电阻Rt,电压效率 和标称容量Wn等。 解:国家标准规定110kV电瓷产品的雷电冲击耐受电压为450kV。110kV瓷绝缘子长度按1m计,查图2.22可知其放电电压约为850kV。实际生产的电压至少按900kV考虑。电压效率初步考虑0.85,则标称电压为1060kV。考虑尽可能不在标称电压下频繁放电,以延长其使用寿命,同时也考虑偶尔有特殊产品实验的需要,所以标称电压取为1200kV。 高电压工程 6.3.4 . 放电回路计算实例 [冲击电压发生器放电回路计算举例] -2 对于线路用复合绝缘子的冲击陡波放电试验,要求波前 陡度达1000kV/μs 。 电瓷产品本身的电容量很小,负荷电容主要是由阻容分压器及发生器本身的杂散电容构成。选择低阻尼阻容分压器的电容为300pF,其他杂散电容及试品电容考虑为200pF,所以总的负荷电容C2约为500pF。仅从电压效率考虑,C1达5~10nF就足够了。但为了增强放电效果,C1选择为20nF。 采用图6-19所示的高效回路。假设每级电容的额定电压为为200kV,则共需6级。每级的电容C的电容量为0.12μF 高电压工程 [冲击电压发生器放电回路计算举例] -3 (1)根据二阶阻容回路计算Rt,Rf,及η和 ε ,请参见《高电压试验技术》(张仁豫等编辑)。 (2)放电回路的近似计算: 则每级的放电电阻为 rt=Rt/6=589Ω 波前电阻的计算分为两种情况。 一是考虑电感的存在,暂不考虑。 高电压工程 [选用试验变压器额定电压及容量实例]-4 二是不考虑电感存在,根据式(6-34)计算,得波前电阻为 每级值为 高电压工程 [选用试验变压器额定电压及容量实例]-5 近似计算与二阶放电回路所得的Rf及Rf值相差不大,偏差分别为3.4%及5.6%。 (3)标称能量的计算 高电压工程 高电压工程基础 冲击电压发生器结构 高电压工程基础 高电压工程基础 补充:绝缘的冲击耐压试验方法 电气设备内绝缘的雷电冲击耐压试验采用三次冲击法,即对被试品施加三次正极性和三次负极性雷电冲击试验电压。(1.2/50 全波)。 对变压器和电抗器类设备的内绝缘,还要进行雷电冲击截波(1.2/2~5 )耐压试验。 内绝缘冲击全波耐压试验应在被试品上并联球隙,并将它的放电电压整定得比试验电压高15%~20%。 高电压工程基础 发现绝缘内的局部损伤或故障,目前用得最多的监测方法是拍摄变压器中性点处的电流示波图。 电力系统外绝缘的冲击高压试验通常采用15次冲击法,若击穿或闪络的闪数不超过2次,即可认为改外绝缘试验合格。 高电压工程基础 * 直流高电压的产生 将工频高电压经高压整流器而变换成直流高电压。 利用倍压整流原理制成的直流高压串级装置(或称串级直流高压发生器)能产生出更高的直流电压。 高电压工程 直流高电压的产生 1. 半波整流回路和直流高压设备的基本参数 T---工频实验变压器 C---滤波电容器 D---整流元件(高压硅堆) R---保护电阻 Umax、Umin、Ut---试品输出直流电压的最大值、最小值、变压器有效值 T D R C Rx 半波整流电路及输出电压波形图 (1)半波整流回路 高电压工程 高电压工程 (2)直流高压试验设备的基本技术参数 1)输出的额定直流电

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