半导体物理与器件教学大纲.docVIP

半导体物理与器件 Semiconductor physics and devices 课程编号： 学 分： 3 学 时： 45 （其中：讲课学时：42 实验学时：3 上机学时：0 ） 先修课程：量子力学、固体物理、统计物理 适用专业：光电信系科学与工程 教 材：《半导体物理学》 刘恩科编 电子工业出版社 开课学院：机械工程学院 课程的性质与任务 半导体物理学是面向电子科学与技术方向本科生所开设的一门专业基础课和学位课，是培养方案中的核心课程之一。通过本课程的学习，使同学掌握半导体中的电子状态，杂质和缺陷能级，半导体中的载流子的统计分布及运动规律，掌握ＰＮ结，异质结，金属与半导体接触的基本理论，了解半导体表面及半导体的光、热、磁、压阻等各种物理现象，为以后的光电子技术、半导体器件、传感器及应用、集成电路等专业课程、为学生将来从事电子科学与技术方面的工作打下必备的基础。? 课程的基本内容及要求 一、半导体中的电子状态 1、教学内容 （1）、半导体的晶格结构和结合性质；?? （2）、半导体中的电子状态和能带； （3）、半导体中电子的运动?，有效质量； （4）、本征半导体的导电机构空穴，回旋共振； （5）、硅和锗的能带结构，?ⅢⅤ族化合物半导体的能带结构?。 2、教学要求 （1）、掌握半导体中的电子运动、有效质量，本征半导体的导电机构、空穴，锗硅的能带结构； （2）、理解能带论。　 3、重难点 （1）重点是掌握学习半导体中的电子状态和能带，电子的状态，有效质量的概念及意义，空穴的概念及意义； （2）难点是了解能带结构。 　二、半导体中的杂质和缺陷能级 1、教学内容 （1）、硅、锗晶体中的杂质能级； （2）、ⅢⅤ族化合物中的杂质能，缺陷、位错能级。 2、教学要求 （1）、掌握锗、硅晶体中的杂质能级， Ⅲ-Ⅴ 族化合物半导体的杂质能级（2）、理解缺陷、位错能级（3）、掌握半导体中的杂质和缺陷能级对半导体特性的影响。 3、重难点 （1）重点是掌握锗、硅晶体中的杂质能级； （2）难点缺陷和位错的概念。 三、热平衡时半导体中载流子的统计分布 1、教学内容 ?（1）、状态密度；??????? （2）、费米能级和载流子的统计分布；?????????（3）、本征半导体的载流子浓度；??????? （4）、杂质半导体的载流子浓度。?????????　2、基本要求 （1）、了解与掌握的内容有：K空间中量子态的分布，态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度； 3、重难点 （1）重点是掌握费米能级和杂质半导体的载流子浓度； （2）难点杂质半导体的载流子浓度的分析。 四、半导体的导电性 1、基本内容 （1）、载流子的漂移运动和迁移率；????????????（2）、载流子的散射；????????????（3）、迁移率与杂质浓度和温度的关系；????????????（4）、电阻率及其与杂质浓度和温度的关系；????????????（5）、强电场下的效应、热载流子。?????　 2、基本要求 （1）、要求理解与掌握的内容有：载流子的漂移运动和迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，玻耳兹曼方程，电导率的统计理论。 3、重难点 （1）重点是费米分布函数，导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度，载流子的浓度乘积； （2）难点杂质能级上的电子和空穴，N型半导体的载流子浓度。 五、非平衡载流子 1、基本内容 （1）、非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命?????? （2）、准费米能级，复合理论，陷阱效应????????（3）、载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式，连续性方程 2、基本要求 （1）、理解与掌握非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，爱因斯坦关系式，连续性方程。 3、重难点 ?（1）、重点掌握非平衡载流子概念，非平衡载流子寿命引入，准费米能级的引入，直接复合，间接复合和表面复合。 （2）、难点：陷阱效应和复合的区别，扩散方程的引入，连续性方程的引入。 六、pn结 1、基本内容 （1）、pn结及其能带图；（2）、pn结电流电压特性；（3）、pn结击穿；（4）、pn结隧道效应。 2、基本要求 （1）、培养学生掌握pn结能带图，pn结接触电势差，雪崩击穿，隧道击穿和热电击穿。 3、重难点 （1）、重点掌握pn结能带图，pn结接触电势差，pn结载流子分布，非平衡状态下的pn结；（2）、难点掌握PN结能带图，pn结隧道效应。?? 七、金属和半导体的接触 1、基本内容 ?（1）、金属半导体接触及其能级图；?（2）、金属半导体接触整流理论