第三章半导体中载流子的统计分布.pptxVIP

●热平衡状态 ●热平衡时非简并半导体载流子浓度的计算 ●本征半导体载流子浓度的计算 ●杂质半导体载流子浓度的计算 ●简并半导体载流子浓度的计算;;处于热平衡状态的载流子n0和p0称为热平衡载流子。数值保持一定，其浓度决定于： ;—费米分布函数;杂质能级最多只容纳一个某个自旋方向的电子。;;例：量子态的能量 E 比 EF 高或低 5kT;;EF 的意义:;所以，导带底电子满足玻尔兹曼统计规律。;服从Boltzmann分布的电子系统 非简并系统 相应的半导体 非简并半导体 ;§3.3 状态密度;状态密度的计算 K 空间的状态密度——k 空间单位体积内的量子态数;;;;单位 k 空间允许的状态数为：;波矢k ～ 电子状态的关系;二、半导体导带底附近和价带顶附近的状态密度;球所占的 k 空间的体积为：;;导带底附近单位能量间隔的电子态数—量子态（状态）密度为：;;对Si、Ge、GaAs材料：;称mdp为价带空穴的状态密度有效质量;2. 极值点ko≠0;令：;由此可知：;§3.4 热平衡时非简并半导体的载流子浓度no和po;整个导带的电子数N为：;∴ 电子浓度no：;令：;2. 空穴浓度po;;二、影响no 和po 的因素;Nc、Nv ～ T;占据EC、EV的几率与T有关;3. EF 位置的