【教案】模拟电路备课教案第五章放大电路的频率响应.docxVIP

精品word 可编辑资料 - - - - - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载 第五章 放大电路的频率响应 一、内容介绍： 本章主要叙述有关频率响应的基本概念、 晶体管和场效应管的高频等效模型、放大电路频率响应的分析方法等； 二、重点和难点： 重点是争论影响放大电路频率响应的因数、 争论频率响应的必要性、求解单管放大电路下限频率、 上限频率和波特图的方法、 多级放大电路的频率参数与各级放大电路频率参数的关系； 难点是如何懂得分析下限频率是结电容相当于短路， 而分析上限频率时将耦合电容和旁路电容相当于短路； 为什么截止频率打算电容所在回路的时间常数； 如何求解电容所在回路的等效电阻； 如何依据波特图写出放大倍数的表达市和依据放大倍数的表达式画出波特图； 三、作业布置： 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 第 1 页，共 12 页 - - - - - - - - - - 精品word 可编辑资料 - - - - - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载 5.1 频率响应概述 1、争论放大电路频率响应的必要性 在放大电路中， 当输入信号频率过高或过低时， 其放大倍数的值会减小，并产生相移（超前或滞后） ；说明放大倍数是信号频率的函数，这种函数关系称之为频率响应或频率特性； 产生这种现象的缘由：放大电路中存在电抗元件（电容、电感等）及晶体管存在极间电容； 在前面争论的放大电路中，我们忽视了电路中的电抗元件及晶体管极间电 容的影响，认为在输入信号的频率范畴内， 其放大倍数的幅度和相位均保持不变， 此频率范畴称之为中频段； 2. 频率响应的基本概念 （ 1）高通电路 AV ( ) Vo ( ) Vi ( ) R 1 R 1 1 1 j C j RC 1 1 1 1 令 L AV ( ) C L 1 L 1 j fL AV ( )  1 2 1 fL f j f 幅频特性 ( ) arctan fL f 相频特性 高通电路的幅频特性曲线： 采纳对数坐标绘制的频率特性曲线，称之为波特图； 20lg  AV ( ) 10lg 1 2 fL (dB) f (a)当f 10 fL时，AV ( ) 0dB； (b )当f f L时，AV ( ) 3 d；B (c)当f 0.1 f L时，AV ( ) 20dB； 高通电路的相频特性曲线： fH 称之为下限截止频率（下限频率） ； ( ) arctan fL f (a ) 当 f 1 0Lf时， ( ) o ；0 (b ) 当 f Lf时， ( ) 4o ；5 (c)当f 0.1 fL 时， ( ) 90 o 第 2 页，共 12 页 - - - - - - - - - - 精品word 可编辑资料 - - - - - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载 （ 2）低通电路 1 A ( ) Vo ( ) j C 1 V Vi ( ) R 1 1 j C j RC 1 1 令 H C H 1 1 AV ( ) AV ( ) 1 2 幅频特性 1 f fH 1 j 1 j f H f H  ( ) arctan f fH  相频特性 低通电路的幅频特性曲线： fH 称之为上限截止频率（上限频率） ； 2 f 20lg AV ( ) 10lg 1 dB f H (a)当f 0.1 fH 时，AV ( ) 0dB； (b)当f fH 时，AV ( ) 3dB； (c)当f 10 fH 时，AV ( ) 20dB； 低 通 电 路 的 相 频 特 性 曲 线 ： ( a)当f  0.1 f H时，  ( ) 0o ； ( ) arctan f f H (b)当f f H 时， ( ) 45o； (c)当f 10 f L时， ( ) 90o 5．2 晶体管的高频等效模型 晶体管的高频混合 模型 （ 1）完整的混合 模型 r bb ---基区的体电阻， b是假想的基区内的一个点； r b’-e--发射结电阻 r b’e与’发射区体电阻 re 折算到基极回路的电阻； Cb’e ---发射结电容 rb’c---集电结电阻 Cb’c--- 集电结电容 第 3 页，共 12 页 - - - - - - - - - - 精品word 可编辑资料 - - - - - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载 互导 gm iC iC v VCE v VCE mg 0 I EQ m B E B E rb e UT r ce---c-e 间的动态电阻； （ 2）简化的混合 模型  忽 略 rb c 和 r c e r