功率场效应晶体管MOSFET 18ҳ 0.3M.pdfVIP

功率 场 效应 晶体管 MOSFET 摘 要： 文中 阐述了 MOSFET 的 结 构、工作原理、静 态 、动态 特性，并 对动态 特性的改 进进 行 了论 述，简介了 MOSFET 的 驱动电 路及其 发展 动态 。分析了功率 MOSFET 的几 种驱动电 路的 技 术 特性和功率 损 耗，阐述了功率 MOSFET 。介绍 了新一代 MOSFET — QFET 的主要技 术特 性，阐述了 MOSFET 器件的 发 展趋势 和研 发动态 及 变换 器 领 域应 用的 优势 。 变 词 ： MOSFET 结 构 特性 驱动电 路 功率 损 耗 应 用 Abstract ：This paper elaborate MOSFET frame 、work elements 、static state、dynamic characteristic ，right dynamic characteristic improve on carry out discuss ，brief introduction MOSFET drive circuit and develop dynamic 。analyze drive circuit technique characteristic and power loss for power MOSFET ，elaborate power MOSFET develop current and research dynamic and parts of an apparatus apply advantage indeflector field 。。 Keywords ： MOSFET frame characteristic drive circuit power loss apply 1.概述 MOSFET 的原意是：MOS （Metal Oxide Semiconductor 金属氧化物半 导 体），FET （Field Effect Transistor 场 效应 晶体管），即以金属 层 （M ）的栅 极隔着氧化 层 （O ）利用电场 的效 应 来控制半 导 体（S ）的场 效应 晶体管。 功率 场效应 晶体管也分 为结 型和 绝缘栅 型 ,但通常主要指 绝缘栅 型中的 MOS 型（Metal Oxide Semiconductor FET ）,简称功率 MOSFET （Power MOSFET ）。结型功率 场效应 晶体管一般 称作静 电感 应 晶体管（Static Induction Transistor —— SIT ）。其特点是用栅 极 电压 来控制漏极 电 流，驱动电 路简单 ，需要的驱动 功率小， 开关 速度快，工作 频率高，热稳 定性 优 于 GTR ，但其电 流容量小，耐 压 低，一般只适用于功率不超 过 10kW 的 电力 电子装置。 2.功率 MOSFET 的结 构和工作原理 功率 MOSFET 的 种类 ：按导电 沟道可分 为 P 沟道和 N 沟道。按栅 极 电压 幅值 可分 为 ；耗尽型； 当栅 极 电压为 零时漏源极之 间就存在 导电 沟道，增 强型；对 于 N （P）沟道器件，栅 极 电压 大于 （小于）零时才存在 导电 沟道，功率 MOSFET 主要是 N 沟道增 强 型。 2.1 功率 MOSFET 的结 构 功率 MOSFET 的内部 结 构和 电气符号如 图 1 所示；其导通时 只有一 种 极性的 载 流子（多子） 参与 导电 ，是单 极型晶体管。 导电 机理与小功率 MOS 管相同，但 结 构上有 较 大区 别 ，小功率 MOS 管是横向 导电 器件，功率 MOSFET 大都采用垂直 导电结 构，又称 为 VMOSFET （Vertical MOSFET ），大大提高了 MOSFET 器件的耐 压和耐 电流能力。 按垂直 导电结 构的差异，又分 为利用 V 型槽 实现 垂直 导电 的 VVMOSFET 和具有垂直 导电 双 扩 散 MOS 结 构的 VDMOSFET Vertical Double-d