湿式蚀刻工艺提高LED光萃取效率之产能与良率.docx

湿式蚀刻工艺提高 LED 光萃取效率之产能与良率 主题 :? 技术 1、 前言 近几年来 III 族氮化物 (III-Nitride) 高亮度发光二极体 (High Brightness Light Emission Diode; HB-LED) 深获广大重视，目前广泛应用于交通号志、 LCD 背光源及各种照明使用上。基本上， GaN LED 是以磊晶 (Epitaxial) 方式生长在蓝宝石基板 (Sapphire Substrate) 上， 由于磊晶 GaN 与底部蓝宝石基板 的晶格常数 (Lattice Constant) 及热膨胀系数 (Coefficient of Thermo Expansion; CTE) 相差极大，所 以会产生高密度线差排 (Thread Dislocation) 达 108~1010 / cm2 ，此种高密度线差排则会限制了 GaN LED 的发光效率。 此外，在 HB-LED 结构中，除了主动层 (Active Region) 及其他层会吸收光之外，另外必须注意的就是半 导体的高折射系数 (High Refractive Index) ，这将使得 LED 所产生的光受到局限 (Trapped Light) 。以 图 1 来进行说明，从主动区所发射的光线在到达半导体与周围空气之界面时，如果光的入射角大于逃逸角 锥(Escape Cone) 之临界角 (Critical Angle; αc)时，则会产生全内反射 (Total Internal Reflection) ；对 于高折射系数之半导体而言，其临界角都非常小，当折射系数为时，其全内反射角则只有 17o ，所以大部 份从主动区所发射的光线，将被局限 (Trapped) 于半导体内部，这种被局限的光有可能会被较厚的基板所 吸收。此外，由于基板之电子与电洞对，会因基板品质不良或效率较低，导致有较大机率产生非辐射复回 (Recombine Non-Radiatively) ，进而降低 LED 效率。所以如何从半导体之主动区萃取光源，以进而增 加光萃取效率 (Light Extraction Efficiency) ，乃成为各 LED 制造商最重要的努力目标。 目前有两种方法可增加 LED 光之萃取效率： (1) 第一种方法是在 LED 磊晶前， 进行蓝宝石基板的蚀刻图形 化(Pattern Sapphire Substrate; PSS) ； (2) 第二种方法是在 LED 磊晶后，进行蓝宝石基板的侧边蚀刻 (Sapphire Sidewall Etching; SSE) ，以及基板背面粗糙化 (Sapphire Backside Roughing; SBR) 。 本文将参考相关文献 [1~6] ， 探讨如何利用高温磷酸湿式化学蚀刻技术， 来达到增加 LED 光萃取效率之目 的。此外，针对 LED 生产线之高产能与高良率需求时，在工艺系统设计制作上必须考虑到哪些因数，亦将 进行详细探讨，以期达到增加 LED 光萃取效率之目的。 图 1 、从主动区所发射的光线在到达半导体与周围空气之界面时，如果光的入射角大于临界角 ( αc)时，则 会产生全内反射。 2、 磊晶前蓝宝石基板之蚀刻图形化 (PPS) 工艺 蓝宝石基板蚀刻图形化 (PPS) 可以有效增加光的萃取效率，因为藉由基板表面几何图形之变化，可以改变 LED 的散射机制，或将散射光导引至 LED 内部，进而由逃逸角锥中穿出。目前使用单步骤无光罩乾式蚀 刻技术 (Maskless Dry Etching) 来加工蓝宝石 (Sapphire) 基板，虽然可以改善内部量子效率 (Internal Quantum Efficiency) 和光萃取率 (Light Extraction Efficiency) ，然而由于蓝宝石基板表面非