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半导体能带理论(精) 半导体能带理论(精) PAGE / NUMPAGES 半导体能带理论(精) 一. 序言 光子晶体或许此刻的你对光子晶体这个名字其实不熟习 ，但是正如 20 世纪初人们对硅这种半导体资料的懵懂相同，或许在 21 世纪末的时候，你将对这个名词耳熟能详 。因为，到时从你的书桌上摆着的高速个人电脑 （上百甚至上千 G Hz 的运算速度），到快速而便利的网络设备，甚至直至你家中能够依据室内实质温度自动开关调理的空调系统，都可能要 受益于这种前程光明的新式资料的伟大功绩。光子晶体是一个很前沿的话题，同时它也是一个很高深的物理观点。要想 把光子晶体解说清楚，其实不是一件简单的事。可是要想认识它，能够先从它产生的背景提及。我们此刻都知道，半导体 在我们的生活中充任了重要的角色。利用它的一些差别于导体和绝缘体的特别的性质，人们制造出了很多的现代固体电 子与光电子器件。收音机、电视、计算机、电话、手机等等无一不再应用着半导体系成的芯片、发光二极管（ LED ）等 等元件。而给我们带来这么多便利的半导体资料大多是一些晶体。 二.晶体知识 . 晶体和半导体中所谓的晶体，是指内部原子有序摆列，形成一种周期性的重复构造，而常常就是这些重复性的结 构存在，才决定了半导体的特别性质。晶体又分单晶和多晶：单晶 ——在一块资猜中，原子所有作有规则的周期摆列， 因为内部的有序性和规则性，其外形常常是某种规则的立体构造。 多晶—— 只在很小范围内原子作有规则的摆列，形成 小晶粒，而晶粒之间有无规则摆列的晶粒界 [j ,HSOv) 分开。我们熟习的硅、锗等晶体就属于单晶。半导体分类：半 导体可分为本征半导体、 P 型半导体、 N 型半导体。本征半导体：硅和锗都是半导体，而纯硅和锗晶体称本征半导体。 硅和锗为 4 价元素，其晶体构造稳固。 P 型半导体： P 型半导体是在 4 价的本征半导体中混入了 3 价原子，比如极小量 （一千万之一）的铟合成的晶体。因为 3 价原子进入 4 价原子中，所以这晶体构造中就产生了少一电子的部分。因为少 一电子，所以带正电。 P 型的 “P正”是取 “Positve（正） ”一词的第一个字母。 N 型半导体：若把 5 价的原子，比如砷混入 4 价的本征半导体，将产生剩余 1 个电子的状态结晶，显负电性。这 N 是从 “Negative（负）”中取的第一个字母。 二极 管的原理：如图一是未加电场（电压）的状况 P 型载流子和 N 型载流子随机地在晶体中。若在图二中的 N 端施加正电 压，在 P 端施加负电压，内部的载流子，电子被拉到正电压方，空核被拉到负电压方，进而联合面上的载流子数目大大 减少，电阻便增大了。如图三加相反电压，此时内部载流子经过联合面，变得易于流动。换言之电阻变小，电流正向流 动。请记着：二极管的正导游通是从 P 型指向 N 型，国际的标法是：三角形表示 P 型，横线是 N 型。二极管在 0.6V 以 上的电压下电流可急剧挪动，反向则无！ .能带理论能级（ Enegy Level ） 在孤立原子中，原子核外的电子依据必定的壳层摆列，每一壳层容纳必定数目的电子。每个壳层上的电子拥有分 立的能量值，也就是电子按能级散布。为简洁起见，在表示能量高低的图上，用一条条高低不一样的水平线表示电子的能级，此图称为电子能级图。能带（ Enegy Band ）：晶体中大批的原子会合在一同，并且原子之间距离很近，以硅为例， 每立方厘米的体积内有 5×1022 个原子，原子之间的最短距离为 0.235nm 。以致离原子核较远的壳层发生交叠，壳层交 叠使电子不再限制于某个原子上，有可能转移到相邻原子的相像壳层上去，也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去，这种现象称为电子的共有化。进而使原来处于同一能量状态的电子产生细小的能量差别，与此相对应的能级扩展为能带。禁带（ Forbidden Band ）：同意被电子据有的能带称为同意带，同意带之间的范围是不一样意电子据有的，此范围称为禁带。原子壳层中的内层同意带老是被电子先占满，而后再据有能量更高的外面一层的同意带。被电子占满的同意 带称为满带，每一个能级上都没有电子的能带称为空带。价带（ Valence Band ）：原子中最外层的电子称为价电子，与 价电带。导带（ Conduction Band ）：价带以上能量最低的同意带称为导带。导带的底能级表示为 Ec，价带的顶能级表 示为 Ev，Ec 与 Ev 之间的能量间隔为禁带 Eg 。导体或半导体的导电作用是经过带电粒子的运动 （形成电流）来实现的， 这种电流的载体称为载流子。导体中的载流子是自由电子，半导体中的载流子则是带负电的电子和带正电的空穴。关于 不一样的资料，禁带宽度不一样， 导带中电子的数目也不一样，