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半导体资料的历史现状及研究进展(精) 半导体资料的历史现状及研究进展(精) PAGE / NUMPAGES 半导体资料的历史现状及研究进展(精) 半导体资料的研究进展 纲要 :跟着全世界科技的快速发展 ,此刻世界已经进入了信息时代 ,作为信息领域的 命脉 ,光电子技术和微电子技术无疑成为了科技发展的焦点。半导体资料依靠着自 身的性能特色也在快速地扩大着它的使用领域。本文要点对半导体资料的发展历 程、性能、种类和主要的半导体资料进行了议论 ,并对半导体硅资料应用概略及其 发展趋向作了概括。 要点词 :半导体资料、性能、种类、应用概略、发展趋向 一、半导体资料的发展历程 半导体资料从发现到发展 ,从使用到创新 ,拥有这一段长远的历史。宰二十世纪 初 ,就曾出现过点接触矿石检波器。 1930 年,氧化亚铜整流器制造成功并获得宽泛应用 ,是半导体资料开始遇到重视。 1947 年锗点接触三极管束成 ,成为半导体的研究成就的重要打破。 50 年月末 ,薄膜生长激素的开发和集成电路的发明 ,是的微电子技术获得进一步发展。 60 年月 ,砷化镓资料制成半导体激光器 ,固溶体半导体此阿里奥在红外线方面的研究发展 ,半导体资料的应用获得扩展。 1969 年超晶格观点的提出和超晶格量子阱的研制成功 ,是的半导体器件的设计与制造从杂志工程发展到能带工程 ,将半导体资料的研究和应用推向了一个新的领域。 90 年月以来跟着挪动通信技 术的飞快发展 ,砷化镓和磷化烟等半导体资料成为焦点 ,用于制作高速高频大功率激发光电子器件等 ;近些年 ,新式半导体资料的研究获得打破 ,以氮化镓为代表的先进半导体资料开始表现出超强优胜性 ,被称为 IT 家产的新发动机。 新式半导体资料的研究和打破 ,经常致使新的技术革命和新兴家产的发展 .以氮化镓为代表的第三代半导体资料 ,是继第一代半导体资料 (以硅基半导体为代表和第二代半导体资料 (以砷化镓和磷化铟为代表以后 ,在近 10 年发展起来的新式宽带半导体资料 .作为第一代半导体资料 ,硅基半导体资料及其集成电路的发展致使了微型计算机的出现和整个计算机家产的飞腾 ,并宽泛应用于信息办理、自动控制等领域 , 对人类社会的发展起了极大的促使作用 .硅基半导体资料固然在微电子领域获得广 泛应用 ,但硅资料自己间接能带构造的特色限制了其在光电子领域的应用 .跟着以光 通信为基础的信息高速公路的兴起和社会信息化的发展 ,第二代半导体资料崭露头 角 ,砷化镓和磷化铟半导体激光器成为光通信系统中的要点元器件 .同时 ,砷化镓高速器件也开辟了挪动通信的新家产。 第三代半导体资料的盛行 ,是以氮化镓资料 P-型混杂的打破为起点 ,以高效率蓝绿光发光二极管和蓝光半导体激光器的研制成功为标记的 .它将在光显示、光储存、光照明等领域有广阔的应用远景 . 二、半导体资料的性能 半导体资料是室温下导电性介于导电资料和绝缘资料之间的一类功能资料。靠 电子和空穴两种载流子实现导电 ,室温时电阻率一般在 10-5~107欧 ·米之间。往常电 阻率随温度高升而增大 ;若掺入活性杂质或用光、射线辐照 ,可使其电阻率有几个数 量级的变化。 1906 年制成了碳化硅检波器。 1947 年发明晶体管此后 ,半导体资料作为一个独立的资料领域获得了很大的发 展 ,并成为电子工业和高技术领域中不行缺乏的资料。特征和参数半导体资料 的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体资料称为本征半导体 ,常温下其电阻率很高 ,是电的不良导体。在高纯半导体资猜中掺入适合杂质后 ,因为杂质原子供给导电载流子 ,使资料的电阻率大为降低。这种混杂半导体常称为杂质半 导体。杂质半导体靠导带电子导电的称 N 型半导体 ,靠价带空穴导电的称 P 型半导体。 不一样种类半导体间接触 (构成 PN 结或半导体与金属接触时 ,因电子 (或空穴浓度差而产生扩散 ,在接触处形成位垒 ,因此这种接触拥有单导游电性。利用 PN 结的单导游电性 ,能够制成拥有不一样功能的半导体器件 ,如二极管、三极管、晶闸管等。 别的 ,半导体资料的导电性对外界条件 (如热、光、电、磁等要素的变化特别敏 感 ,据此能够制造各样敏感元件 ,用于信息变换。半导体资料的特征参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁徙率、非均衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定 ,反应构成这种资料的原子中价电子从约束状态激发到自由 状态所需的能量。电阻率、载流子迁徙率反应资料的导电能力。非均衡载流子寿命反应半导体资料在外界作用 (如光或电场下内部载流子由非均衡状态向均衡状态过渡的弛豫特征。位错是晶体中最常有的一类缺点。位错密度用来权衡半导体单晶资料晶格完好性的程度 ,关于非晶态半导体资料 ,则没有这一参数。半导体资料的特征参数不单