整套课件：半导体材料.ppt

晶体生长问题 生长热力学 生长动力学 生长系统中传输过程 11.1 体单晶生长 结晶过程驱动力 杂质分凝 组分过冷 结晶过程驱动力 杂质分凝 杂质在液相和固相中的浓度不同 组分过冷 生长过程中，杂质不断排向熔体，使熔体中杂质浓度越来越高，过冷度愈来愈大，离固液界面越远 10.2 体单晶生长方法 体单晶生长 垂直生长 水平生长 直拉法 磁控直拉法 液体复盖直拉法 蒸汽控制直拉法 悬浮区熔法 垂直梯度凝固法 垂直布里奇曼法 水平布里奇曼法 10.2.1 直拉法 温度在熔点附近 籽晶浸入熔体 一定速度提拉籽晶 最大生长速度 熔体中的对流 生长界面形状 各阶段生长条件的差异 10.2.2 直拉生长技术的改进 磁控直拉法-----Si 连续生长法-----Si 液体覆盖直拉法-----GaAs，InP，GaP，GaSb，InAs 蒸汽控制直拉法-----GaAs，InP 10.2.3 悬浮区熔法 利用悬浮区的移动进行提纯和生长 无坩埚生长技术，减少污染 杂质分凝 Si 10.2.4 垂直梯度凝固法和垂直布里奇曼法 VGF 多段加热炉 温度梯度 GaAs，InP VB 加热炉相对于石英管移动 温度梯度 CdTe，HgS，CdSe，HgSe 例子：硅的单晶生长第一步：石 英（90%）还 原 脱 氧 成 为 熔 炼 级 硅（99％） 第二步：熔 炼 级 硅（99％）到电子级多晶硅 粗硅提纯到电子级多晶硅 粗硅与氯化氢在200℃以上反应 Si十3HCl==SiHCl3+H2 实际反应极复杂，除生成SiHCl3外，还可能生成SiH4、SiH3Cl、SiH2Cl2、SiCl4等各种氯化硅烷 合成温度宜低，温度过高易生成副产物 其中三氯代硅烷产量大、质量高、成本低的优点，是当前制取多晶硅的主要方法 精馏 利用杂质和SiHCl3沸点不同，用精馏的方法分离提纯 沸点 SiCl4 (57.6oC) SiHCl3 (33oC) SiH2Cl2 (8.2oC) SiH3Cl (-30.4oC) SiH4 (-112oC) HCl (-84.7oC) 硅的单晶生长第三步：电子级多晶硅到单晶硅 最后一步：研磨，切割，抛光 10.3 片状晶生长 熔体生长技术，主要用于制备太阳能级用片状硅 避免硅锭切割造成的损失，节约加工成本 D-Web技术 S-R技术 EFG技术 10.4 晶片切割 切片 倒角 腐蚀 抛光 清洗 开耳芬关系式 热电材料的优值 较大的赛贝克系数－－热电效应大 较小的热导率－－热量保持在接头 较高的电导率－－焦耳热少 固溶体合金理论 利用合金化引起晶格短程畸变，使其加强对声子的散射，降低晶格热导率，对载流迁移率影响不大，因而对材料的电导率影响很小。 热电优值和温度 Bi2Te3－－室温工作 Bi-Sb合金－－低温范围，20K～200K PbTe－－高温范围，300K～900K SiGe固溶体 SiGe固溶体的热电性能，载流子浓度，温度 更大热电优值 ZT～1－－－实际情况 ZT～4－－－理论 来利用ZT=3的材料制备家用冰箱，在经济上可以与传统压缩机式冰箱竞争 提高ZT 提高ZT 提高赛贝克系数 提高电导率 降低热导率－－重要途径 热导率 热导率包括晶格热导率和载流子热导率 载流子热导率调节余地很小 降低晶格热导率（增加对声学声子的散射）成为提高材料热电优值最主要的方法 典型的高热电性能材料应该为窄带隙半导体 10.1.4 热电材料的应用 热电发电 半导体制冷 1）热电发电 所谓热电发电就是将热能直接转变成电能，通过高温与低温的温差产生的热将移动的热能转变成电能，使其发电。 地球上任何的地方均存在温差，可以说有无限的利用前景。其应用领域可以从家庭直至整个地球，可利用的热源温度范围为—200℃~+2000℃（现在的技术水平）。 半导体热电堆发电技术和太阳能光伏发电技术并称为21世纪的两大最具潜力的新烈发电技术，对于缓解其至解决当前日益增长的能源压力和环境危机具有重大意义。 半导体热电发电机（简称为 TEG），实质上是许多p和n型半导体材料按照一定的排列组合方式构成的半导体堆(Thermopile)。因此，半导体热电发电也经常被称为半导体热电堆发电。 热电发电示意图 TEG工作原理 发电机工作于冷热源之间，热端从热源吸热，由冷端向冷源放热，将热能转化为电能，以温差电动势或电流的形式输出。 TEG 产生的温差电动势主要由汤姆逊(Thomson)电动势和帕尔贴电动势组成。 当半导体材料的两端存在温差时，半导体的导电机