第二章-双极型晶体管及放大电路1.pptVIP

第二章 双极型晶体管及其放大电路 偏置要求 对 NPN管 要求 UC ＞ UB＞ UE 偏置要求 对 PNP管 要求 UC ＜ UB ＜ UE ①C、B间反向饱和漏电流 ② 管子C、E间反向饱和漏电流 ③管子反向饱和漏电流 硅管比锗管小。 此值与本征激发有关。 取决于温度特性（少子特性）。 二、共发射极输入特性曲线 c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B I b I BN I EP I EN I CN C1 图2―6 共发射极输入特性曲线 （1）0 UCE 1 时，随着 UCE 增加，曲线右移，特别在 0 UCE UCE (SAT), 即工作在饱和区时，移动量将更大一些。 （2） UCE 1 时，进入放大区，曲线近似重合。 三、温度对晶体管特性曲线的影响 T ↑，uBE↓： T ↑， ICBO ↑ ： T ↑， β ↑ ： 2-2-2 晶体管的主要参数 1、电流放大系数 1. 共射直流放大系数 反映静态时集电极电流与基极电流之比。 2. 共射交流放大系数 反映动态时的电流放大特性。 由于ICBO、ICEO 很小，因此 在以后的计算中，不必区分。 4.共基交流放大系数 3.共基直流放大系数 由于ICBO、ICEO 很小，因此 在以后的计算中，不必区分。 2 极间反向电流 极间反向电流 是指管子各电极之间的反向漏电流参数。 发射极开路时，集电极—基极间的反向电流，称为集电极反向饱和电流。 基极开路时，集电极—发射极间的反向电流，称为集电极穿透电流。 4.极限参数 使用时不应超过管子的极限参数值。否则使用时可能损坏。 （1）反向击穿电压 （2）集电极最大允许电流 ICM 留有一定的余量。 ICM 指β下降到额定值的2/3时 的IC值 图2―7 晶体管的安全工作区 功耗线 （3）集电极最大允许功耗PCM 2―3 晶体管工作状态分析及偏置电路 应用晶体管时，首先要将晶体管设置在合适的工作区间，如进行语音放大需将晶体管设置在放大区，如应用在数字电路，则晶体管工作在饱和区或截止区。 因此，如何设置和分析晶体管的工作状态是晶体管应用的一个关键。 2―3―1 晶体管的直流模型 由外电路偏置的晶体管，其各极直流电流和极间直流电压所对应的伏安特性曲线上的一个点。 静态工作点（简称Q点）： 静态工作电压、电流。在下标再加个Q表示，如IBQ、UBEQ、ICQ、UCEQ (a) 输入特性近似 图2―8晶体管伏安特性曲线的折线近似 u BE 0 i B U BE(on) 0 u CE i C U CE(sat) I B ＝ 0 (b) 输出特性近似 饱和区 放大区 截止区 ( b ) 图2―9晶体管三种状态的直流模型 (a)截止状态模型；(b)放大状态模型；(c)饱和状态模型 e b c βI B I B U BE(on) ( a ) e b c ( c ) e b c U BE(on) U CE(sat) 例1 晶体管电路如图2―10(a)所示。若已知晶体管工作在放大状态，β=100，试计算晶体管的IBQ，ICQ和UCEQ。 (a) 电路 I C Q ＋ － U CE Q 270k R B U BB 6V I B Q U CC 12V R C 3k (b)直流等效电路 图2―10晶体管直流电路分析 e R B U BE(on) b I B Q βI B Q c I C Q U CC R C ＋ － U CE Q U BB 解 因为UBB使e结正偏，UCC使c结反偏，所以晶体管可以工作在放大状态。这时用图2―9(b)的模型代替晶体管，便得到图2--10(b)所示的直流等效电路。由图可知 故有 (a) 电路 I C Q ＋ － U CE Q 270k R B U BB 6V I B Q U CC 12V R C 3k 例2：若UBB从零增加，说明晶体管的工作区间以及IBQ、ICQ、UCEQ的变化情况？ 当UBB从0~0.7V之间时，管子进入截止区。 IBQ=ICQ≈0 UCEQ≈UCC 分析： (a) 电路 I C Q ＋ － U CE Q 270k R B U BB 6V I B Q U CC 12V R C 3k 当UBB继续增大，发射结正偏，集电结反偏，管子进入放大区。随着IBQ的增大，ICQ=βIBQ也增大。UCEQ=UCC- ICQ×RC不断下降。 (a) 电路 I C Q ＋ － U CE Q 270k R B U BB 6V I B Q U CC 12V R C 3k 当UBB增大到UCEQUBEQ时，集电结 正偏，管子进入饱和区。此时