第一章半导体二极管及其应用.pptVIP

模拟电子电路 以电阻串、并联为例来进行说明 a 若两电阻R1 、R2 串联，如果R1 R2（一般R1大十倍以上即可），则可忽略R2 。即：R=R1+ R2≈R1 。 b、若两电阻R1 、R2 并联，如果R1 R2（R1大十倍以上即可），则可忽略R1 。即：R=R1||R2≈R2 。 ②、交、直流源同时出现在电路中时，采用叠加原理 例一：电路如下图，求vO 例二：电路如下图，求VO1 、VO2 ③、非线性元件有条件的线性化。可将非线性电路化为线性电路。 考试成绩评定 平时 30% 期末 70% 空穴的运动： 1、空穴的运动可以看成一个带正电荷的粒子的运动。 2、一个空穴的运动实际上是许多价电子（不是自由电子）作相反运动的结果。但是一个空穴运动所引起的电流的大小只与空穴的多少有关，与多少个价电子运动无关。 3、若没有空穴，价电子不会运动，即使互换位置也不会带来电荷的迁移。 结论 在半导体中，有两种载流子： 自由电子（负电荷）和空穴（正电荷）。 在本征半导体中，自由电子和空穴是成对出现的。 二、本征载流子浓度 复合：由于正负电荷相吸引，自由电子会填入空穴成为价电子，同时释放出相应的能量，从而消失一对电子、空穴，这一过程称为复合。与本征激发是相反的过程。 一分为二 本征激发 复 合 合二为一 载流子浓度：载流子浓度越大，复合的机会就越多。在一定温度下，当没有其它能量存在时，电子、空穴对的产生与复合最终达到一种热平衡状态，使本征半导体中载流子的浓度一定。 说明 随着T的增加，载流子浓度按指数规律增加。——对温度非常敏感。 在T=300K的室温下， 本征硅（锗）的载流子浓度=1.43×1010㎝-3（2.38×1013㎝-3）， 本征硅（锗）的原子密度=5×1022㎝-3 （4.4×1022㎝-3）。 相比之下，室温下只有极少数原子的价电子(三万亿分之一)受激发产生电子、空穴对。 结论 本征半导体的导电能力是很弱的； 本征载流子浓度随温度升高近似按指数规律增大，所以其导电性能对温度的变化很敏感。 1-1-2 杂质半导体（掺杂半导体） 在本征半导体中掺入微量的元素（称为杂质），会使其导电性能发生显著变化。————杂质半导体。 根据掺入杂质的不同，杂质半导体可分为N型半导体和P型半导体。 一、N型半导体 说 明 在本征硅（锗）中掺入少量的五价元素（如：磷、砷、锑等）就得到N型半导体。 杂质原子顶替硅原子，多一个电子位于共价键之外，受原子的束缚力很弱，很容易激发成为自由电子。 几乎一个杂质原子能提供一个自由电子，从而自由电子数大大增加。——施主杂质。 由于自由电子的浓度增加，与空穴（本征激发产生的）复合的机会也增加，因此空穴浓度相应减少。 在N型半导体中： 自由电子——多数载流子，简称多子； 空穴——少数载流子，简称少子。 三、杂质半导体的载流子浓度 多子的浓度 在杂质半导体中，杂质原子所提供的多子数远大于本征激发的载流子数。 结论：多子的浓度主要由掺杂浓度决定。 小 结 1.本征半导体通过掺杂，可以大大改变半导体内载流子的浓度，并使一种载流子多，另一种载流子少。 2.多子浓度主要取决于杂质的含量，它与温度几乎无关；少子的浓度则主要与本征激发有关，因而它的浓度与温度有十分密切的关系。 1-2 PN结 PN结是半导体器件的核心，可以构成一个二极管。 PN结加正向电压 外加的正向电压大部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。 于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响。 PN结呈现低阻性，有较大的正偏电流。 PN结加反向电压 外加的反向电压大部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。 内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流。 PN结呈现高阻性。 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 击穿的可逆性 电击穿是 可逆的（可恢复，当有限流电阻时）。 电击穿后如无限流措施，将发生热击穿现象。 热击穿会破坏PN结结构（烧坏） 热击穿是 不可逆 的。 稳压电压UZ 指管子长期稳定时的工作电压值。 额定功耗Pz 与材料、结构、工艺有关。 使用时不允许超过此值。 稳定电流Iz 稳压二极管正常工作时的参考电流。 IZminIZIZ