20种开关电源拓扑的优缺点对比.docxVIP

20种幵关电源拓扑的优缺点对比! 1、基本名词 常见的基本拓扑结构 ■Buck降压 ■Boost升压 ■Buck-Boost 降压-升压 ■Hyback 反激 forward 正激 ■Two-Tra nsistor Forward 双晶体管正激 ■^ush-Pull 推挽 ■Half Bridge 半桥 ■Full Bridge 全桥 ■SEPIC ■D uk 基本的脉冲宽度调制波形 这些拓扑结构都与开关式电路有关。 基本的脉冲宽度调制波形定义如下： 2、Buck降压 Vin Vout + | Load — ? T f (R Vout = D Vin 特点 ■把输入降至一个较低的电压。 ■可能是最简单的电路。 ■电感/电容滤波器滤平开关后的方波。 ■输出总是小于或等于输入。 ■输入电流不连续 （斩波）。 ■输出电流平滑。 3、Boost 升压 Vout q 1 Load Load T- \ 丁 Vout = —— Vin D 特点 ■把输入升至一个较高的电压。 ■与降压一样，但重新安排了电感、开关和二极管。 ■输岀总是比大于或等于输入 （忽略二极管的正向压降 ） ■输入电流平滑。 ■输出电流不连续 （斩波）。 4、Buck-Boost 降压-升压 Vin Vout 4- 3 + U I 1 Load R VOUl - ! D Df Vin 特点 ■电感、开关和二极管的另一种安排方法。 ■结合了降压和升压电路的缺点。 ■输入电流不连续 （斩波）。 ■输岀电流也不连续 （斩波） ■输岀总是与输入反向 （注意电容的极性），但是幅度可以小于或大于输入。 ■ “反激”变换器实际是降压 -升压电路隔离（变压器耦合）形式。 5、Flyback 反激 Vin oVout = Vin nDvLoad(R) Vin o Vout = Vin nDv Load(R) 特点 ■如降压-升压电路一样工作，但是电感有两个绕组，而且同时作为变压器和电感 ■输出可以为正或为负，由线圈和二极管的极性决定。 ■输岀电压可以大于或小于输入电压，由变压器的匝数比决定。 ■这是隔离拓扑结构中最简单的 ■增加次级绕组和电路可以得到多个输岀。 6、Forward 正激 7 7、 Two-Transistor Forward 双晶体管正激 特点 ■降压电路的变压器耦合形式。 ■不连续的输入电流，平滑的输出电流。 ■因为采用变压器，输岀可以大于或小于输入，可以是任何极性。 ■增加次级绕组和电路可以获得多个输岀。 ■在每个开关周期中必须对变压器磁芯去磁。常用的做法是增加一个与初级绕组匝数相同 的绕组。 ■在开关接通阶段存储在初级电感中的能量，在开关断开阶段通过另外的绕组和二极管释 放。 L 工 Vout = —^― Vin n Lo?d(R) 特点 ■两个开关同时工作。 ■开关断开时，存储在变压器中的能量使初级的极性反向，使二极管导通。 ■主要优点： ■每个开关上的电压永远不会超过输入电压。 ■无需对绕组磁道复位。 8、Push-Pull 推挽 厂 丄 T亠 LJ Voit=—Vin 特点 ■开关（FET）的驱动不同相，进行脉冲宽度调制（ PWM ）以调节输岀电压 ■良好的变压器磁芯利用率 …在两个半周期中都传输功率。 ■全波拓扑结构，所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。 ■施加在FET上的电压是输入电压的两倍。 9、Half-Bridge 半桥 特点 ■较高功率变换器极为常用的拓扑结构。 ■开关（FET）的驱动不同相，进行脉冲宽度调制（ PWM ）以调节输岀电压。 ■良好的变压器磁芯利用率 … 在两个半周期中都传输功率。而且初级绕组的利用率优于推 挽电路 ■全波拓扑结构，所以输出纹波频率是变压器频率的两倍 ■施加在FET上的电压与输入电压相等。 10、Full-Bridge 全桥 特点■较高功率变换器最为常用的拓扑结构。■开关（FET 特点 ■较高功率变换器最为常用的拓扑结构。 ■开关（FET）以对角对的形式驱动，进行脉冲宽度调制（ ■良好的变压器磁芯利用率 …在两个半周期中都传输功率。 ■全波拓扑结构，所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。 ■施加在 FETs上的电压与输入电压相等。 ■在给定的功率下，初级电流是半桥的一半。 PWM ）以调节输岀电压 11、SEPIC单端初级电感变换器 Vout Vout D Vout = Vin D1 特点 ■输出电压可以大于或小于输入电压。 ■与升压电路一样，输入电流平滑，但是输出电流不连续。 ■能量通过电容从输入传输至输出。 ■需要两个电感。 12、C uk（Slobodan C uk 的专利） + t Vii 1 Vout 1彳 I Load J (R) -D Vout= Vin 特点 ■输岀反相 ■输岀电压的幅度可以大于